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一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：　　　　（Ａ）先在半导体材料上沉积电极；　　　　（Ｂ）然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；　　　　（Ｃ）再进行套刻；　　　　（Ｄ）然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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