一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器制造技术

本发明专利技术涉及噪声发生器技术领域，公开了一种互补式金属氧化层半导体噪声发生器，包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜，用于将微小的噪声电流信号转换放大成较大的差分电压信号输出给差分放大器；差分放大器，用于将双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜输入的差分双端信号转换为单端信号，并将该单端信号放大输出。利用本发明专利技术，采用广泛使用的ＣＭＯＳ工艺制作，大大降低了噪声发生器的功耗，很好地解决了即使是几μＷ的功耗都会缩短无源标签工作距离的问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种互补式金属氧化层半导体ＣＭＯＳ噪声发生器，其特征在于，该噪声发生器包括：偏置电路，用于为双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜和差分放大器提供直流工作点；双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜，用于微小的噪声电流发生和将微小的噪声电流信号转换放大成较大的差分电压信号输出给差分放大器；差分放大器，用于将双漏极互补式金属氧化层半导体晶体管电流镜输入的差分双端信号转换为单端信号，并将该单端信号放大输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周盛华，吴南健，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]