一种高速模拟开关制造技术

一种能够消除插入影响并有单向隔离功效的高速模拟开关，它有一对发射极和集电极分别相连的并联ＰＮＰ管，并联管的基极各作模拟开关的输入端和控制端。另有一个ＰＮＰ管和一个ＮＰＮ管两者的集电极与基极交叉互连，其中ＮＰＮ管的基极还与并联ＰＮＰ管的发射极相连，其集电极接参考电压，发射极作模拟开关的输出端，而其中ＰＮＰ管的发射极则接第二偏压。还有一个ＮＰＮ管其集电极接输出端，基极接第一偏压，发射极与并联ＰＮＰ管的集电极共同接地。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种双极晶体管的高速模拟开关，其特征在于：它由第一ＮＰＮ晶体管、第二ＮＰＮ晶体管、第一ＰＮＰ晶体管、第二ＰＮＰ晶体管、第三ＰＮＰ晶体管共五个晶体管组成，其中所述第一ＰＮＰ晶体管和所述第二ＰＮＰ晶体管的发射极和集电极分别相连，组成一对并联ＰＮＰ晶体管，所述一对并联ＰＮＰ晶体管中的两个晶体管基极则分别作为所述模拟开关的模拟信号输入端和输入控制端，所述第一ＮＰＮ晶体管的基极与所述一对并联的ＰＮＰ晶体管的发射极连接点相连，所述第一ＮＰＮ晶体管的发射极则作为所述模拟开关的输出端，所述第一ＮＰＮ晶体管的集电极连接参考工作电压，所述第二ＮＰＮ晶体管的发射极与所述一对并联的ＰＮＰ晶体管的集电极连接点相连，并接至电源“地”，所述第二ＮＰＮ晶体管的集电极与所述模拟开关的输出端相连，所述第二ＮＰＮ晶体管的基极连接第一偏置电压，所述第三ＰＮＰ晶体管的集电极和基极分别与所述第一ＮＰＮ晶体管的基极和集电极相连，所述第三ＰＮＰ晶体管的发射极连接第二偏置电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石寅，李世祖，朱荣华，王守觉，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]