窗口隔离型极小孔半导体激光器和制作方法技术

一种窗口隔离型极小孔激光器，其中包括：一衬底；一Ｎ面电极，该Ｎ面电极制作在衬底的底面；一下限制层，该下限制层制作在衬底的上面；一有源区，该有源区制作在下限制层的上面；在该有源区上形成有限制出光的小孔；一上限制层，该上限制层制作在有源区的上面；脊形波导区，该脊形波导区制作在上限制层的上面；一绝缘介质膜，该绝缘介质膜制作在上限制层和脊形波导区的上面；一窗口隔离区和其上的覆盖层，该窗口隔离区和其上的覆盖层在激光器的两端、脊形波导的上面；一Ｐ面电极，该Ｐ面电极制作在绝缘介质膜的上面，在窗口隔离区之间。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光器和制作方法，特别是一种。
技术介绍
高密度、高性能数据存储是信息领域和计算机技术发展中不可缺少的关键性技术，传统的光学存储方案是利用光源的远场特性，存储元光斑受光学衍射极限的限制，存储密度较低，一般只能通过减小存储光源的波长提高存储密度。常用CD的存储密度0.38Gb/in2、DVD的存储密度2.79Gb/in2，兰光DVR的存储密度也只能到15Gb/in2。利用光源近场处的倏逝波可以很好的突破衍射极限的限制，大幅度的提高存储密度，是目前光存储领域最具潜力的技术。如固体浸没透镜(SIL)、近场光学扫描显微镜(NSOM)、超分辨近场微结构(Super-RENS)等方案，存储密度已经达到了40Gb/in2，但是由于外加光源是经过耦合进入存储头(如锥状光纤端头)，用于存储的光功率很小，一般仅为50nW，在信噪比的限制下使得数据读写速率很慢，目前最好只能到50KHz。而基于侧面发光激光器和垂直腔面发射激光器的极小孔激光器能作为新型的有源型近场光学存储器件，可以很好的解决现有近场存储方案中普遍存在的局限，激光器本身作为存储头简化了结构，极大的缩小光头的体积，能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种窗口隔离型极小孔激光器，其特征在于，其中包括：一衬底；一Ｎ面电极，该Ｎ面电极制作在衬底的底面；一下限制层，该下限制层制作在衬底的上面；一有源区，该有源区制作在下限制层的上面；在该有源区上形成有限制出光的小 孔；一上限制层，该上限制层制作在有源区的上面；脊形波导区，该脊形波导区制作在上限制层的上面；一绝缘介质膜，该绝缘介质膜制作在上限制层和脊形波导区的上面；一窗口隔离区和其上的覆盖层，该窗口隔离区和其上的覆盖层在 激光器的两端、脊形波导的上面；一Ｐ面电极，该Ｐ面电极制作...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：康香宁，宋国峰，陈良惠，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]