光电器件及其集成方法技术

描述了一种将芯片和顶面光学芯片集成在一起的方法。顶面光学芯片至少有一个光学器件，该器件有一个包括一个光学活性区域的活性面，一个有一定高度的激光器腔，一个光学非活性区域，一个和活性面相对的键合面和一个器件厚度。该方法包括，将光学芯片键合到电子芯片上；施加一个衬底到活性面上，该衬底有一个在活性区域上面的在一个第一数量和一个第二数量之间的衬底厚度，和施加一个抗反射涂层，在施加抗反射涂层时不需形成特殊的图形或在至少一个的光学激光器器件和其他器件之间进行区别。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电芯片集成，尤其涉及高产量密度集成光电子器件的集成。
技术介绍
图1和图2阐明了先有技术所使用的方法，用来附贴多个底层发射(或检测)(也称为“背面发射(或检测)”)器件以形成一个集成光电芯片。根据图1所示的方法，按照传统的方法，多个激光器在晶片衬底102上生成，如多个探测器(在这里也可互换地称为光探测器)在它们自己的或和激光器共同的晶片衬底上生成。通常，最邻近光学器件106、108和衬底102之间结合处的衬底102的104部分，是由一种材料构成，这种材料对于光学器件的工作波长是光学透明的。然后，器件106、108用传统技术如湿法或干法蚀刻处理，以在器件106、108中形成沟槽112，把它们分成一系列分离的单个激光器106或探测器108。被蚀刻的沟槽112可以在到达衬底102前就停止，也可以部分延伸到衬底102中，这依赖于所使用的具体技术。蚀刻后，衬底102及其相关器件被翻转，在硅(Si)电子晶片114上排到合适的位置，然后使用传统的倒装片键合技术把它键合到硅电子晶片114上。键合之后，使用传统的机械磨光法，传统的蚀刻技术或两者的组合方法，使衬底102的全部减得极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将一个芯片和一个顶面活性光学芯片集成在一起的方法，该顶面活性光学芯片至少包括一个光学激光器器件，该器件具有一个包括一个光学活性区域的活性面，一个有一定高度的激光器腔，一个光学非活性区域，一个和活性面相对的键合面和一个器件厚度，该方法包括：将光学芯片键合到电子芯片；施加一个衬底到活性面，该衬底在活性区域上面有一个在一个第一数量和一个第二数量之间的范围内的衬底厚度，该第一数量在一个最小激光发射厚度和约十倍于激光器腔高度之间，该第二数量约１００微米；和施 加一个抗反射涂层，在施加抗反射涂层时不需形成特殊的图形或在该至少一个光学激光器器件和任何其他器件...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：格雷格杜德夫，约翰特雷泽，
申请(专利权)人：美莎诺普有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]