光电子器件集成制造技术

制造一种含有至少一个耦合到一个电学芯片（１５１８）的底有源器件（１５０４）的混合芯片的方法包括组合一个底有源光器件和一个电子芯片，其时至少一些底有源光学器件接触点与至少一些电子芯片接触点不对准。该方法包括向底有源光学器件添加一个绝缘层（１５０６），该绝缘层有一定的厚度和一个第一面一个第二面，将绝缘层的第一表面粘贴于底有源光学器件的和衬底相对的表面上，在绝缘层上与光学器件和电子芯片的有源接触点基本重合的点形成从第二面向第一面延伸的开口），使侧壁导电以及用导电材料将这些点与底有源光学器件接触点和电子芯片接触点相连接。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电子器件集成，特别是高成品率、高密度光电子器件的集成。
技术介绍
图1和2图解说明了在先有技术中所采用的附接多个底发射(或探测)器件(也可称做背发射或探测器件)形成集成光电子器件的方法。根据图1的方法，采用传统方式在晶片衬底102上形成了多个激光器，对于多个探测器(这里可交换地指光探测器)，在其自己的或和激光器共同的晶片衬底上，方法也一样。一般来讲，衬底102上最靠近光电子器件106、108与衬底102之间连接的部分104采用对该光电子器件工作波长光学透明的材料制成。然后采用传统技术加工器件106，108，比如说采用湿法或干法刻蚀，在器件106，108之间形成沟槽112，利用此沟槽将106，108分成一系列的单个分立的激光器106或探测器108器件。取决于采用的具体技术，刻蚀的沟槽可能在到达衬底102前停止，也有可能部分延伸入衬底102。刻蚀后，将衬底102及相关器件翻转，和硅电子晶片114上的适当位置对准，然后采用传统的倒装片键合技术键合到硅电子晶片上。键合后，利用传统的机械抛光技术或刻蚀技术或二者的某些组合，整体极端减薄衬底102到5微米左右的数量级或更小，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过结合一个底有源光学器件和一个电子芯片制造混合芯片的方法，该底有源光学器件在一面有衬底，在和衬底相对的一个表面有有源器件接触点，电子芯片有电子芯片接触点，至少一些有源器件接触点和至少一些电子芯片接触点不对准，至少一些有源器件接触点中的每一个接触点都有一个电气相应的电子芯片接触点，该方法包括：　　　　向底有源光学器件添加一个绝缘层，该绝缘层具有一定厚度，具有一个第一面和一个第二面，绝缘层的第一面黏附于有源光器件表面；　　　　在与有源器件接触点基本重合的点形成限定绝缘层中从第二面延伸到第一面的开口的侧壁；　　　　使侧壁导电；和　　　　用导电材料连接这些点和电子芯片接触点。

【技术特征摘要】
US 2001-6-29 09/896,189;US 2001-6-29 09/897,158;US1.一种通过结合一个底有源光学器件和一个电子芯片制造混合芯片的方法，该底有源光学器件在一面有衬底，在和衬底相对的一个表面有有源器件接触点，电子芯片有电子芯片接触点，至少一些有源器件接触点和至少一些电子芯片接触点不对准，至少一些有源器件接触点中的每一个接触点都有一个电气相应的电子芯片接触点，，该方法包括向底有源光学器件添加一个绝缘层，该绝缘层具有一定厚度，具有一个第一面和一个第二面，绝缘层的第一面黏附于有源光器件表面；在与有源器件接触点基本重合的点形成限定绝缘层中从第二面延伸到第一面的开口的侧壁；使侧壁导电；和用导电材料连接这些点和电子芯片接触点。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使侧壁导电的方法包括在至少一些开口中填充导电材料。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使侧壁导电的方法包括在至少一些侧壁上淀积导电材料。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，使侧壁导电的方法进一步包括在淀积导电材料前在至少一些侧壁上淀积绝缘体。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中连接包括在这些点和电子芯片接触点之间形成电迹线图形，使电迹线导电。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成电迹线图形的方法包括在第二面上形成电迹线的图形。7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成电迹线图形的方法包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：格雷格杜德夫，约翰特雷泽，
申请(专利权)人：美莎诺普有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]