优化连接器特征的方法技术

一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于１微米的精度。该方法包括通过将该壁暴露在反应气体中，用该反映气体对壁进行处理，使该壁变成一种包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征理想的尺寸。另一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于１微米的精度，该方法包括在壁的至少一部分上淀积一种基底材料，使得更容易在壁上，在基底材料的顶部以限定的，均匀的方式镀覆材料，和在壁的至少一部分上镀覆材料，直至达到该特征的理想尺寸。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光纤元件和光纤元件的加工工艺，尤其涉及一种光学耦合与波导元件的制造。相关申请的交叉引用本申请是2001年6月29日申请的、申请号为09/896,513，09/896,664，09/896,196，和09/896,192，的共同转让美国专利申请的部分继续。
技术介绍
商用系统的光纤通常通过应用零件的组合被保持。一个连接器组件100，用于把各种光纤元件(或光纤元件和模块)附接在一起，如图1中的分解图所示。一个套圈102是连接器100的一部分，在套圈102被插入到整个连接器本身之前，光纤104本身先被插入套圈。套圈102是连接器组件100的高精度零件。套圈102把光纤104保持在精确的位置，并确保，当两个连接器零件附接在一起时，使两个零件中的光纤被保持得精确地对准。相对于套圈102而言，连接器100的其余部分106是低精度的。在现有的多光纤连接器中，大部分的连接是用于两个或更多个光纤构成的阵列，如专利号为5,214,730的美国专利所披露的那样，其光纤阵列达到了1x12(尽管一些商用配置中尝试了2x12)。使用的连接器有不同的名称，这取决于制造者。在1x2的阵列中，连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种优化特征的方法，该特征由晶片材料上的一个壁界定，精度可达１微米以上，其特征在于，该方法包括：　　　　通过将壁暴露在反应气体中用反应气体对壁进行处理，使壁变成包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征的理想尺寸。

【技术特征摘要】
US 2001-6-29 09/896,664;US 2001-6-29 09/896,196;US1.一种优化特征的方法，该特征由晶片材料上的一个壁界定，精度可达1微米以上，其特征在于，该方法包括通过将壁暴露在反应气体中用反应气体对壁进行处理，使壁变成包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征的理想尺寸。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征为由壁界定的一种孔。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在晶片材料中刻蚀，钻孔或铣孔的步骤。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的晶片材料包括硅，而且用反应气体对壁进行处理的方法包括将硅氧化。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶片材料包括硅，而且所述用反应气体对壁进行处理的方法包括形成硅的氮氧化物的包覆层。6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述晶片材料包括硅，而且所述用反应气体对壁进行处理的方法包括形成氮化硅的包覆层。7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述处理进行足够长的时间，使得包覆层厚度为在约1微米至10微米之间。8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述处理进行足够长的时间，使得包覆层厚度为在约1微米至2微米之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：格雷格杜德夫，基思康，
申请(专利权)人：美莎诺普有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]