从表面去除污染物的方法及其使用的组合物技术

采用不含氟化物的含水组合物从诸如含有铜镶嵌或双镶嵌特征的半导体片的表面去除微粒和金属离子污染，所述含水组合物包含二元羧酸和／或其盐；以及羟基羧酸和／或其盐或含氨基的酸。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及酸性含水组合物，其特别地用于从表面去除微粒和金属污染。本专利技术特别地用于从诸如那些在诸如含有铜镶嵌或双镶嵌特征的半导体片的集成电路器件中用作互连结构的结构上去除微粒和金属污染物。根据本专利技术处理的结构包括已经通过化学机械抛光预先平面化的结构。
技术介绍
在VLSI和ULSI半导体芯片上，铝和铝合金是用于常规芯片互连/布线材料。不过，近来已经将铜和铜合金开发为芯片互连材料。与铝及其合金相比，使用铜和铜合金导致器件性能提高。在半导体器件的制造中，诸如铜或其合金的金属互连材料或布线通常在沉积后被平面化。用于这种平面化的抛光浆液通常是含水悬浮液，其包含金属氧化物磨料(如氧化铝)、有机酸、表面活性剂以及合适的氧化剂。这种方法称为化学-机械抛光(CMP)。通过侵蚀辅助过程，氧化剂发挥作用，增强材料的机械去除。在市售或专用(proprietary)浆液中采用的这些氧化剂通常是无机金属盐，如以相当浓度存在的FeNO3或KIO3，也可以是过氧化氢。其它添加到浆液中以提高分散或者增强性能的化学物质常常是有机酸(例如柠檬酸)。钠、钾和铁盐和/或化合物经常用于浆液配方中，并且在抛光和抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
不含氟化物的含水组合物，其包含约０．００５至约１６重量％的至少一种二元羧酸、其盐或其混合物；约０．００３至约４重量％的至少一种羟基羧酸、其盐或其混合物；其余为足够的水；其ｐＨ为约１至约４。

【技术特征摘要】
US 2001-6-29 09/893,9681.不含氟化物的含水组合物，其包含约0.005至约16重量％的至少一种二元羧酸、其盐或其混合物；约0.003至约4重量％的至少一种羟基羧酸、其盐或其混合物；其余为足够的水；其pH为约1至约4。2.权利要求1的组合物，其中该二元羧酸或其盐具有二至六个碳原子。3.权利要求1的组合物，其中该二元羧酸选自草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、马来酸和富马酸。4.权利要求1的组合物，其中该二元羧酸包含丙二酸和草酸的混合物。5.权利要求4的组合物，其中所述丙二酸的量为约0.003至约8重量％，所述草酸的量为约0.003至约8重量％。6.权利要求1的组合物，其中该羟基羧酸选自苹果酸、酒石酸和柠檬酸。7.权利要求1的组合物，其包含柠檬酸或柠檬酸铵。8.权利要求1的组合物，其包含柠檬酸。9.权利要求1的组合物，其包含柠檬酸铵。10.不含氟化物的含水组合物，其包含约0.003至约8重量％的丙二酸；约0.003至约8重量％的草酸；约0.003至约4重量％的柠檬酸；其余为足量的水；其pH为约1至约4。11.权利要求10的组合物，其包含约0.2重量％的柠檬酸；约0.1重量％的丙二酸和约0.2重量％的草酸。12.权利要求10的组合物，其还包含抗微生物剂。13.权利要求12的组合物，其中所述抗微生物剂的量达约0.002重量％。14.权利要求12的组合物，其中所述抗微生物剂的量为约0.00005重量％。15.权利要求10的组合物，其中pH达约2。16.不含氟化物的含水组合物，其包含约0.005至约16重量％的至少一种二元羧酸、其盐或其混合物；约0.003至约4重量％的至少一种含有氨基的酸、其盐或其混合物；其余为足量的水；其pH为约1至约4。17.权利要求16的组合物，其中该二元羧酸或其盐具有二至六个碳原子。18.权利要求16的组合物，其中该二元羧酸选自草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、马来酸和富马酸。19.权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：埃米尔A克内尔，
申请(专利权)人：气体产品及化学制品公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]