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一种优化特征的方法，该特征由在晶片材料上的壁界定，使其达到高于１微米的精度。该方法包括通过将该壁暴露在反应气体中，用该反映气体对壁进行处理，使该壁变成一种包覆层材料，而且以一种限定的，均匀的方式从壁向外扩张，直至达到该特征理想的尺寸。另一种...
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