一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法技术

本发明专利技术公开一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法，其中带有漏电限制层的三维微纳发光器件包括初始发光器件、漏电限制层、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化掩蔽膜、选择性外延生长的n型三族氮化物结构、三族氮化物有源层、p型三族氮化物覆盖层；漏电限制层包裹在初始发光器件最外层的p型三族氮化物覆盖层的部分区域；透明导电层沉积在初始发光器件正面，p型电极设置在透明导电层上，n型电极设在n型三族氮化物层上或衬底底部。本发明专利技术在电子器件中制备漏电限制层，使其电子器件具有漏电流小，低电流注入发光，漏电限制层可控等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种带有漏电限制层的三维微纳发光器件，其特征在于，包括初始发光器件、漏电限制层（8）、透明导电层（9）、p型电极（10）和n型电极（11）；其中初始发光器件自下而上依次有衬底（1）、三族氮化物成核层和缓冲层（2）、n型三族氮化物层（3）、图形化掩蔽膜（4）、选择性外延生长的n型三族氮化物结构（5）、三族氮化物有源层（6）、p型三族氮化物覆盖层（7）；所述漏电限制层（8）制作在初始发光器件的p型三族氮化物覆盖层（7）上且使初始发光器件的金字塔尖端部分露出；所述透明导电层（9）沉积在初始发光器件和漏电限制层（8）的正面，p型电极（10）设置在透明导电层（9）上，n型电极（11）设置在n型三族氮化物层（3）上或n型衬底（1）的底部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张佰君，林佳利，陈伟杰，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44