【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种由GaN系统半导体组成的、包括光发射层的GaN系统半导体发光装置，更具体地，是一种具有优异光发射效率和光提取效率的GaN系统半导体发光设备。
技术介绍
由于包括GaN系统半导体层的GaN系统半导体发光设备使得可以实现白光LED，存在着考虑将其用于应用于背光的电子设备的可能性。GaN系统半导体发光装置具有作为其基本结构的pn结二极管，其中将光发射层插入n型GaN系统半导体层和p型GaN系统半导体层之间。将光发射层电子从n型GaN系统半导体层注入，而将空穴从p型GaN系统半导体层注入，由此在光发射层将其重新结合以发射光。不过，特别是基于高电阻率(几欧姆·厘米)的p型GaN系统半导体层，只能直接将用于粘接垫片提供电流的金属电极依附于n型GaN系统半导体层或p型GaN系统半导体层会不方便地导致限制单独流过围绕金属电极的电流。结果在间隔金属电极外围较远的光发射层中发射变弱。另一方面，金属电极使任何围绕金属电极的发射光不能被提取到该半导体发光装置之外。常规地，为了获得电流的统一分布，构思了形成金属薄膜用于电流传播。与Ni/Au层压电极、Pt等类似，需要将...
【技术保护点】
一种由ＧａＮ系统半导体组成的、包括光发射层的半导体光发射装置，将该光发射层插入于ｎ型ＧａＮ系统半导体层或ｐ型ＧａＮ系统半导体层之间，其中提供了Ｇａ掺杂Ｍｇ↓［Ｚ］Ｚｎ↓［１－Ｚ］Ｏ（０≤Ｚ＜１）电极膜。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。