半导体发光元件及其制造方法技术

本发明专利技术的半导体发光元件，由叠层氮化镓类化合物半导体层的ｎ型层（３）与ｐ型层（５）形成发光部而形成半导体叠层部（６），在该半导体叠层部表面设置有透光性导电层（７）。去除该透光性导电层的一部分、与露出的半导体叠层部的表面和透光性导电层相接触而设置有上部电极（８）。其构成为：在从透光性导电层的开口部（７ａ）露出的半导体叠层部表面上设置电流抑制机构（１０），确保上部电极与半导体叠层部表面的密合性，同时大幅度地抑制电流向上部电极的下侧流动。其结果是，能够得到通过抑制上部电极下侧的发光而提高外部量子效率，同时能够提高上部电极与半导体层的密合性的使用氮化镓类化合物的半导体发光元件。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用氮化镓类化合物半导体的半导体发光元件。更具体地讲，涉及在由使金属构成的上部电极与半导体叠层部表面的欧姆接触难以采用的氮化镓类化合物半导体构成的半导体叠层部表面上，密合性良好地形成上部电极，同时电流扩散到芯片全体，且在光不能从表面侧取出的上部电极的下侧没有电流流过，由此能够防止无效发光的如此构造的。
技术介绍
历来的使用氮化镓类化合物半导体的半导体发光元件，例如形成如图5所示的结构。就是说，在蓝宝石基板21上，例如顺次外延生长由GaN构成的缓冲层22；由GaN构成的n型层(接触层和覆盖层)23；由带隙小于覆盖层、发光波长一定的材料，例如InGaN类(表示In与Ga的比例可以有多种变化，以下相同)化合物半导体构成的活性层(发光层)24；以及由p型的GaN构成的p型层(覆盖层)25，在其表面，隔着例如由ZnO等构成的透光性导电层、设置上部电极(p侧电极)28。而且，在由蚀刻去除叠层的半导体层部的一部分而露出的n型层23上，设置有下部电极(n侧电极)29而形成。上部电极28是例如Ti与Au的叠层结构，下部电极29是由Ti-Al合金直接成膜，或通过分别叠层Ti和Al、并进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，具有：叠层氮化镓类化合物半导体层的ｎ型层和ｐ型层，形成发光部的半导体叠层部；设置在该半导体叠层部表面的透光性导电层；和去除该透光性导电层的一部分、与露出的所述半导体叠层部的表面和所述透光性导电层相接触而设置的上部电极，该半导体发光元件构成为：通过在去除所述透光性导电层的一部分而露出的所述半导体叠层部表面上设置电流抑制机构，确保所述上部电极与所述半导体叠层部表面的密合性，同时抑制电流向该上部电极的下侧流动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤范和，园部雅之，中川大辅，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]