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半导体发光元件及其制造方法技术
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文档序号:3313335
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本发明的半导体发光元件,由叠层氮化镓类化合物半导体层的n型层(3)与p型层(5)形成发光部而形成半导体叠层部(6),在该半导体叠层部表面设置有透光性导电层(7)。去除该透光性导电层的一部分、与露出的半导体叠层部的表面和透光性导电层相接触而设...
该专利属于罗姆股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过罗姆股份有限公司授权不得商用。
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