半导体激光器芯片频率响应的测量方法技术

一种半导体激光器芯片频率响应的测量方法，包括如下步骤：制作微带线；制作测试和校准用金属底板；将微带线焊接在金属底板上，并焊上与矢量网络分析仪匹配的射频同轴连接器和匹配电阻，做成测试夹具和校准夹具；把焊在热沉上的芯片焊在测量夹具上制成被测器件；用矢量网络分析仪加光探测器测量被测器件的频率响应；测量校准夹具的频率响应；测量校准夹具的频率响参数；用下列公式求出测试夹具的转移矩阵；得到测试夹具的频率响应；利用测试系统测出被测器件的网络参数即被测器件的频率响应，减去测试夹具的频率响应得到芯片的频率响应。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种芯片测量方法，特别涉及利用微波射频技术对一种半导体激光器(DFB-LD或FP-LD)芯片频率响应的测量。
技术介绍
对于半导体激光器芯片，必须经过后续工艺(比如封装、模块化)后才能实际应用。但是在进行这些工艺之前必须要知道芯片本身的带宽，才能为封装等提供必要的依据。目前，芯片的带宽测量主要有如下两种方法(1)将芯片焊在特殊结构的热沉上，依靠探针将矢量网络分析仪产生的测试信号施加到芯片上，最后进行校准。该方法精度很高，可以进行高频测试，理论上可以达到网络分析的测试范围(如22GHz)。缺点是操作复杂，其中探针价格昂贵。(2)将芯片焊在热沉上，做好外围电路；按照光波信号分析仪的测试手册，利用光波信号分析仪进行测量。缺点是精度差，不能进行高频测量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种，采用这种方法可以快速精确地测量芯片的带宽。专利技术一种，其特征在于，包括如下步骤(1)制作微带线；(2)制作测试和校准用金属底板；(3)将微带线焊接在金属底板上，并焊上与矢量网络分析仪匹配的射频同轴连接器和匹配电阻，做成测试夹具A和校准夹具B、C；(4)把焊在热沉上的芯片焊在测量夹具上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器芯片频率响应的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）制作微带线；（２）制作测试和校准用金属底板；（３）将微带线焊接在金属底板上，并焊上与矢量网络分析仪匹配的射频同轴连接器和匹配电阻，做成测试夹具和 校准夹具；（４）把焊在热沉上的芯片焊在测量夹具上制成被测器件；（５）用矢量网络分析仪加光探测器测量被测器件的频率响应；（６）测量校准夹具的频率响应为Ｓ↓［ｍ］＝＊＊＊；并用公式＊＊＊换算成校准夹具Ｂ转移矩阵Ａ↓［ｍ］ ＝＊＊＊；（７）测量校准夹具的频率响的ｓ↓［１１］参数；（８）用下列公式...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐遥，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]