利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法技术

本发明专利技术一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤２：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤３：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤４：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤５：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种砷化镓(GaAs)衬底上砷化铟(InAs)环形纳米结构的生长方法，特别是指一种部分覆盖被InAs包裹的InAlAs纳米点并在高温退火的生长方法。
技术介绍
半导体材料和纳米材料是当前材料科学的两大重点和热点领域。将纳米材料的量子特性和半导体材料的能带特性相结合，是半导体物理学一个非常重要的分支领域，也是制造新型功能器件的一个重要途径。利用低维半导体异质结材料制作的光电器件，如激光器，探测器的性能得到迅猛的提高，并迅速进入市场，得到广泛的应用。因此，制备纳米半导体材料，无论对对材料科学还是对实际应用都具有十分重要的意义。GaAs衬底上InAs环形纳米结构具有InAs/GaAs半导体材料的能带特性，能将电子限制在窄带隙的InAs材料内。同时，由于InAs纳米环的尺寸只有几十纳米，限制在其内的电子具有量子化效应。因其独特的型貌，纳米环的电子态具有很大的可调制性，并能对外加磁场作出响应。利用上述特性，InAs钠米环被用于激光器和探测器的工作区，并有可能在新型功能器件如高密度存储器中得到应用。迄今为止，制备GaAs衬底上InAs纳米环的方法主要是直接光刻的方法以及部分覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤２：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤３：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤４：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤５：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，叶小玲，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]