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本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤２：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤３：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤４：在该砷化铟叠层上外延生长砷化...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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