无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器制造技术

一种无铝１．３μｍ铟砷／镓砷量子点激光器，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子点有源区上；一上包层，该上包层在较低温度下制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在上包层上。由于ＩｎＧａＰ可以在较低的生长温度下获得高的的材料质量，包层生长过程中量子点发光的蓝移得到有效的抑制，使得量子点激光器能够在１．３μｍ激射。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种采用金属有机化合物汽相外延(MOCVD)生长的铟砷(InAs)/镓砷(GaAs)量子点(QDs)激光器，特别涉及一种无铝1.3μm铟砷/镓砷量子点激光器。
技术介绍
理论上预测以QDs为有源区的激光器具有高量子效率、低阈值电流和高特征温度等优越性能。近来，在GaAs基片上生长的InAs/GaAs QDs因为可以将激光器发射波长延伸到1.3μm或1.5μm而受到广泛关注。关于用分子束外延(MBE)技术生长的InAS QDs 1.3μm激光器已经有很多的研究并实现室温工作(参见Electron.Lett.，Vol.40，No.22，2004，pp 1412-1413和IEEE Photonics Technol.Lett.，Vol.12，No.6，2000，pp 591-592)。尽管相对于MBE技术，MOCVD技术具有生长速度快适合于批量生产及可以进行选择区域生长便于光电集成等优点，但基于MOCVD技术的InAS QDs激光器的研究相对较少，并且目前只有较少的长波长激射的报道(Appl.Phys.Lett.，Vol.85，No.6，2004，pp 1024-102本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无铝１．３μｍ铟砷／镓砷量子点激光器，其特征在于，包括：一基片；一缓冲层，该缓冲层制作在基片上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上；一量子点有源区，该量子点有源区制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子点有源区上；一上包层，该上包层在较低温度下制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在上包层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁松，朱洪亮，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]