半导体发光元件制造技术

在设有包含分别具有５ｎｍ膜厚的两个ＩｎＧａＮ阱层的２重量子阱结构的活性层的半导体激光器中，光封闭系数Γ在３．０％以下区域中阈值电流的劣化较小，具有微分效率显著改善的特性。另一方面，光封闭系数Γ小于１．５％时，阈值电流显著增大，且微分效率的改善量也小。因而，其光封闭系数Γ的下限最好为１．５％左右，若光封闭系数Γ在３．０％以下，则得到的微分效率为１．６Ｗ／Ａ以上，且通过设光封闭系数Γ为２．６％以下，得到１．７Ｗ／Ａ以上的微分效率。从而得到具有高微分效率的使用氮化物类Ⅲ－Ⅴ族化合物的半导体发光元件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体发光元件，采用设有包括至少两个阱层的多重量子阱结构的活性层的氮化物类Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体，其特征在于：所述至少两个阱层包括至少两个ＩｎＧａＮ阱层，在发光时的元件的全部导波光中，将表示所述至少两个ＩｎＧａＮ阱层中的光的比例的 光封闭系数设定为１．５％以上、３．０％以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：藏本恭介，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]