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在设有包含分别具有５ｎｍ膜厚的两个ＩｎＧａＮ阱层的２重量子阱结构的活性层的半导体激光器中，光封闭系数Γ在３．０％以下区域中阈值电流的劣化较小，具有微分效率显著改善的特性。另一方面，光封闭系数Γ小于１．５％时，阈值电流显著增大，且微分效率的改...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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