光源装置及其制造方法制造方法及图纸

光源装置及其制造方法，通过在副支架处形成凹槽、通过倒装晶片联结法将发光设备联结到凹槽的里面和在凹槽里面形成反射层而能够防止在相互邻接的发光设备之间的光干涉，并且通过将从发光设备的侧面射出的光朝着金属主干的前面聚集而增加发光的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到，尤其涉及到能够使得从各发光设备发射的光朝着金属主干(metal stem)的前面聚集而不损失光的。
技术介绍
现在，活跃使用的发光设备通常分为激光二极管(LD)和发光二极管(LED)。LD被广泛地用作光通信领域中的光源，并且，近来已经被用作在光媒体，例如DVD播放器、激光盘(LD)播放器、小磁盘(MD)播放器等以及压缩盘(CD)播放器和压缩盘可写入(CD-RW)播放器领域中的重要元件。另外，LED广泛用于背光模组(BLU)，并且被用作位于本身不能发光的LC PANEL的下部并通过照射均匀的平面光使LCD被识别的光源装置。LED的优点是其能够在较低的电压下运行，由于高能效而生成少量的热，并具有长的寿命期间。图1是说明常规的发光设备的纵向截面图，而图2是说明常规的光源装置的纵向截面图。如在图1中所示，常规的发光设备10的结构方式是，通过化学气相沉积(CVD)法，在蓝宝石(sapphire)、n-GaAs或其它衬底11之上顺序沉积缓冲层(buffer layer)12、n-接触层(n-contact layer)13、活性层(active layer)14和p-接触层(p-contact layer)15。电流喷镀(current spraying)层16形成在p-接触层15的上表面上。与p-接触层15和电流喷镀层16电连接的p-电极17形成在电流喷镀层16的上表面上。然后，n-电极18形成在n-接触层13的暴露部分的上表面上。如在图2中所示，在常规的光源装置40中，发光设备10通过正常的安装连接方法联结到副支架(sub-mount)20，而副支架20联结到金属主干30。这时，为了施加外接电源，通过导线11，发光设备10的p-电极17连接到副支架20的电极21，并且通过另一导线22，副支架20的电极21连接到金属主干30的电极31。因为n-电极18具有与p-电极相同的连接结构，所以，与n-电极18的连接结构有关的引用数字以及为此的说明将在后面省略。具有这样结构的常规的光源装置的操作将描述如下。如在图1和2中所示，当电压施加到金属主干30的电极31时，通过导线11和22，电压施加到p-电极17和n-电极18。这时，空穴和电子分别注入到p-电极17和n-电极18中。注入的空穴和电子被引入到p-接触层15和n-接触层13中，然后在活性层14中再次结合。这时，额外能量变成发射的光。然而，在常规的光源装置的情况中，在相互邻接的发光设备之间会发生光干涉，并且，从发光设备的侧面射出的光不朝着金属主干的前面聚集，而是分散，因此降低了发光效率。另外，至于在发光设备和副支架之间的连接以及在副支架和金属主干之间的连接，因为使用采用导线的正常安装联结方法，所以连接工作非常困难，并因此降低了产量。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是要提供一种，其能够防止在相互邻接的发光设备之间的光的干扰，并且，通过将从发光设备的侧面射出的光朝着金属主干的前面聚集而增加发光的效率。为了获得这些和其它优点以及按照本专利技术的目的，如在这里具体和广泛描述的，提供一种光源装置，包括金属主干；副支架，该副支架具有淀积在金属主干之上的一个表面和具有凹槽的另一表面，其中，电极层和焊接层按序淀积在凹槽之上；和发光设备，该发光设备联结到副支架的焊接层。发光设备的电极直接与副支架的电极层连接，并且，副支架的电极层通过导线与金属主干的电极层连接。优选地，凹槽的深度形成为相对大于发光设备的高度。金属主干是MC PCB，并且，发光设备是LED。为了获得这些和其它优点以及按照本专利技术的目的，如在这里具体和广泛描述的，提供一种光源装置的制造方法，包括在硅衬底上按照固定间隔形成多个凹槽；在具有凹槽的硅衬底的前表面之上按序形成电极层和焊接层；通过以凹槽为单位，平均切割硅衬底而形成多个副支架；将发光设备联结到副支架的焊接层，以使发光设备的电极能够连接到副支架的电极层；以及通过把副支架与金属主干对准，完成光源装置。优选地，在在硅衬底的前表面上形成凹槽的步骤以后，在硅衬底的前表面上按序形成反射层和绝缘层。优选地，倒装晶片(flip chip)联结法用在将发光设备联结到副支架的焊接层的步骤中。优选地，副支架的电极层与金属主干的电极通过正常的安装方法连接。通过下面的与附图结合的对本专利技术的详细描述，本专利技术的前述和其它的目的、特征、方案和优点，将会变得更加明显。附图说明被包括在内以提供对本专利技术进一步理解并构成说明书的一部分的附图，说明本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图中图1是说明常规的发光设备的纵向截面图。图2是说明常规的光源装置的纵向截面图。图3是说明按照本专利技术的光源装置的纵向截面图。图4是说明按照本专利技术的光源装置中的副支架和发光设备的分解的立体图。图5是说明按照本专利技术的光源装置中的副支架和发光设备的纵向截面图。图6到14是说明按照本专利技术的光源装置的制造方法的流程图。具体实施例方式现在，将详细描述本专利技术的优选实施例，其实例在附图中说明。此后，按照本专利技术的将参考附图进行描述。图3是说明按照本专利技术的光源装置的纵向截面图，图4是说明按照本专利技术的光源装置中的副支架和发光设备的分解的立体图，而图5是说明按照本专利技术的光源装置中的副支架和发光设备的纵向截面图。如在图3到5中所示，按照本专利技术的光源装置100，包括金属主干110；副支架120，副支架120具有淀积在金属主干110之上的一个表面和凹槽121形成在上面的另一表面，其中，反射层122、绝缘层123、电极层124和焊接层125按序淀积在凹槽121之上；和发光设备130，发光设备130联结到副支架120的焊接层125。在光源设备100中，通过在一个表面上形成凹槽121，以在其上安装发光设备130，从发光设备130发射的光不分散，而被传送到金属主干110的前面，因此增加发光效率。这里，通过凹槽121减小了副支架120的厚度，因此促进发光设备130的热生成。另外，通过在副支架120上形成反射层122，从发光设备130的前表面和侧表面发射的光有效地朝着金属主干110的前面聚集。这里，通过使用淀积法或发射法(lift-off method)形成反射层122，并且反射层优选地由诸如Ag或Al的具有高反射系数的材料制成。为使反射层122不与电极层124接触，绝缘层123形成在反射层122的上表面上。具有绝缘性能的任何材料都允许作为绝缘层123的材料，但是，溅射法或气相沉积法优选地使用AlN、ZnO、BeO、SiO2和SiNx中的一种。另外，可以采用在半导体处理工艺中使用的绝缘层，例如氮化硅层。能够用小于400℃的熔点联结的材料之一，例如Au-Sn、In、Pb、Pb-Sn或者Ag-Sn优选地用作焊接层。作为参考，在联结两个电极的方法中，用于通过使两个电极相互面对而联结两个电极的方法叫做倒装晶片联结法(flip chip bonding method)，而用于通过导线连接两个电极的方法叫做正常安装联结法(normal mountingbonding method)。实际上，发光设备130的电极分成n-电极和p-电极。然而，因为n-电极和p-电极具有对称的连接结构，所以，在本专利技术中，为了简单起见，n-电极和p-电极均标记为电极13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光源装置，包括：金属主干；副支架，该副支架具有淀积在金属主干之上的一个表面和具有凹槽的另一表面，其中，电极层和焊接层按序淀积在凹槽之上；和发光设备，该发光设备联结到副支架的焊接层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金根浩，宋基彰，
申请(专利权)人：LG电子有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]