800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜制造技术

一种８００ｎｍ布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，形成第一吸收区；该第一吸收区采用界于低温和常温之间温度生长的吸收区，非饱和损耗较小；该第一吸收区也兼作为载流子弛豫区；一盖层，该盖层制作在量子阱上，兼作第二吸收区，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子弛豫的通道，作为载流子第二弛豫区。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜。特别是指一种适用于800nm附近波长固体激光器被动锁模用的半导体可饱和吸收镜。
技术介绍
二十世纪九十年代以来超短脉冲激光技术得到迅速的发展，极大地促进了超短脉冲激光(皮秒、飞秒)在物理、化学、生物医学等领域的发展，引发了上述学科的变革。自1992年起，以瑞士联邦工业学院的凯勒等人为主，开始了一系列半导体可饱和吸收镜的研制。这种被动锁模吸收体采用MOCVD或MBE低温生长方法来生长非饱和光吸收区和载流子驰豫区(通常两者是合二为一的)，在衬底和吸收区之间生长布拉格反射镜。吸收区和布拉格反射镜的光学长度为反法布里-帕罗腔(即往返光程为波长的半整数倍，以减少色散)。通过改变吸收区(载流子驰豫区)的生长温度来控制饱和恢复时间；通过改变吸收区的厚度来改变调制深度。人们用这样的器件实现了许多波长区域固体激光器的被动锁模。国内研究的宽带800nm半导体可饱和吸收镜，反射带宽达到200nm，理论上可以支持10飞秒以下脉冲宽度的掺钛蓝宝石激光器自启动自锁模，但是，制作工艺复杂，除了材料生长，还有腐蚀，镀模等多道工序，导致非饱和损耗大，使用寿命短，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种８００ｎｍ布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反 射镜上，形成第一吸收区；该第一吸收区采用界于低温和常温之间温度生长的吸收区，非饱和损耗较小；该第一吸收区也兼作为载流子弛豫区；一盖层，该盖层制作在量子阱上，兼作第二吸收区，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子弛豫的通道，作为载流子第 二弛豫区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇刚，马骁宇，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]