透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜制造技术

一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜镀在吸收区上。本发明专利技术可由于固体激光器的被动锁模，实现超短脉冲激光的输出。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适用于1060nm附近波长固体激光器被动锁模用半导体可饱和吸收镜，特别是指一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜。
技术介绍
近年来超短脉冲激光技术得到迅速的发展，带动了超短脉冲激光(皮秒、飞秒)在物理、化学、生物医学等领域的发展，促进了上述学科的变革。自1992年起，以瑞士联邦工业学院的凯勒等人为主，国际上掀起了研制半导体可饱和吸收镜的热潮。这种被动锁模吸收体采用MOCVD或MBE方法生长非饱和光吸收区和载流子驰豫区(通常两者是合二为一的)，在衬底和吸收区之间生长布拉格反射镜。吸收区和布拉格反射镜的光学长镀为反法布里-帕罗腔(即往返光程为波长的半整数倍，以减少色散)。通过改变吸收区(载流子驰豫区)的生长温度来控制饱和恢复时间；通过改变吸收区的厚度来改变调制深镀。人们用这样的器件实现了许多波长区域固体激光器的被动锁模。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜，其可由于固体激光器的被动锁模，实现超短脉冲激光的输出。本专利技术提出了一种新型的透过式兼输出镜的1060nm波长附近固体激光器被动锁模用的半导体可饱和吸收镜。与传统方法相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透过式兼输出镜的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，其中包括：一半绝缘衬底；在半绝缘衬底的下面镀有高反膜；一缓冲层，该缓冲层制作在半绝缘衬底上；一吸收区，该吸收区制作在缓冲层上；一增透膜，该增透膜镀在吸收区上 。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇刚，马骁宇，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]