【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光电转换装置。
技术介绍
作为光电转换装置，已知具有由CIGS等的黄铜矿系I-III-VI族化合物半导体形成的光吸收层的光电转换装置。该光电转换装置中，例如，在基板上形成有作为背电极的第一电极层，并在该第一电极层上形成有由I-III-VI族化合物半导体构成的光吸收层。并且，在该光吸收层上，通过由ZnS、CdS等形成的缓冲层，形成由ZnO等形成的透明的第二电极层。作为提高上述光电转换装置的光电转换效率的方法之一，有一种增大光吸收层所含的半导体的晶粒尺寸的方法。在日本特开2000-156517号公报中，公开了一种形成上述 晶粒大的光吸收层的技术。但是，在光吸收层中的晶粒尺寸大的情况下，光吸收层对电极层的粘接性降低，从而光吸收层容易从电极层上剥离。特别是，若为了增大光吸收层的晶粒尺寸而在更高的温度下进行处理时，上述剥离有可能更明显。本专利技术的目的之一在于，提供一种光电转换装置，该光电转换装置通过提高光吸收层与电极层之间的粘接性来提高可靠性并且光电转换效率高。
技术实现思路
本专利技术一实施方式的光电转换装置，具有电极层；以及设置于该电极层上并含有化合物...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：久保新太郎，中泽秀司，鎌田塁，小栗诚司，牛尾绅之介，笠井修一，稻井诚一郎，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：
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