光电动势装置的制造方法以及光电动势装置的制造装置制造方法及图纸

为了高速且高精度地形成逆金字塔状的纹理构造，利用抗蚀刻膜的激光构图和湿蚀刻而在使用了单晶硅的光电动势装置表面形成防反射纹理时，使用脉冲激光和激光波束分支部件，在成为所期望的金字塔状凹部的底面的正方形的对角线方向上加工多个激光孔，使各正方形之间的激光孔的间距大于所述对角线上的间距。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用了晶体硅的光电动势装置的制造方法以及制造装置。
技术介绍
以往，已知有如下技术通过抗蚀刻膜的激光构图、以及湿蚀刻，在晶体硅太阳能电池的表面形成用于降低反射率的微小的凹凸构造(纹理构造)。在激光构图中，为了在抗蚀刻膜中高速地形成许多孔(aperture )，而采取通过衍射光学元件将激光进行分支的方法(例如，参照专利文献I、非专利文献I)。 专利文献I :日本特开2009-147059号公报非专利文献I D. Niinobe, K. Nishimura, S. Matsuno, H. Fujioka, T. Katsura,T. Okamoto, Τ· Ishihara, H.Morikawa, S.Arimoto 著，“Honeycomb-StructuredMulti-Crystalline SiliconSolar Cells With 18.6% Efficiency Via IndustriallyApplicable LaserProcess”，Proceedings of the 23rd EU PVSEC，2008 年，pl824_1828专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：桂智毅，西村邦彦，西村慎也，冈本达树，藤川周一，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：
国别省市：