光电动势装置及其制造方法制造方法及图纸

提供一种即使在高速焙烧条件下形成表面电极也可以使电极的宽度与未在高速焙烧条件下制作的以往的情况相同的光电动势装置。具备：ｐ型硅基板（１０１）、在ｐ型硅基板（１０１）的光的入射面侧形成的ｎ型扩散层（１０２）、在ｎ型扩散层（１０２）上形成的表面电极（１１０）、在ｐ型硅基板（１０１）的与光的入射面对置的背面形成的ｐ＋层（１０３）、以及在ｐ＋层（１０３）上的规定的位置形成的背面电极（１２０），表面电极（１１０）具有：在ｎ型扩散层（１０２）上形成的第１电极层（１１１）；以及在第１电极层（１１１）上形成且电阻率比第１电极层（１１１）小的１层以上的第２电极层（１１２）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
当前在地球上使用的电力用太阳能电池的主流是硅太阳能电池，但其量产水平下 的制造方法一般希望尽可能简化而降低制造成本。对该量产水平的制造方法的一个例子 进行说明(例如，参照专利文献1)。首先，在P型硅基板的整个面使磷(P)热扩散而形成 了 η型扩散层之后，以仅在一个主面残留η型扩散层的方式进行蚀刻。接下来，作为反射 防止膜，在η型扩散层上通过等离子体CVD (Chemical VaporDeposition,化学气相沉积) 法等来形成氮化硅膜。之后，在硅基板的背面，网板印刷了铝膏(aluminum paste)和背面 用银膏(silverpaste)之后使其依次干燥，并且在氮化硅膜上网板印刷了成为表面电极的 表面用银膏之后进行干燥。此处，在很多的硅太阳能电池中通过1次印刷来形成表电极， 但在该专利文献1中，为了降低成本、防止浪费资源，在形成具有栅电极和汇流电极(bus electrode)的梳型电极构造的表面电极时，在第1次使用栅电极和汇流电极的掩模图案来 印刷银膏并使其干燥之后，第2次使用栅电极的掩模图案在第1次印刷的栅电极的银膏上 印刷银膏并使其干燥本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电动势装置，具备：　　第１导电类型的半导体基板；　　在所述半导体基板的光的入射面侧扩散了第２导电类型的杂质而得到的第１扩散层；　　在所述第１扩散层上形成的表面电极；　　在所述半导体基板的与光的入射面对置的背面形成的第１导电类型的第２扩散层；以及　　在所述第２扩散层上的规定的位置形成的背面电极，　　所述光电动势装置的特征在于，　　所述表面电极具有：　　在所述第１扩散层上形成的第１电极层；以及　　在所述第１电极层上形成、且电阻率比所述第１电极层小的１层以上的第２电极层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：水口一男，森川浩昭，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]