【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种光电转换装置。
技术介绍
作为光电转换装置，已知具有由CIGS等的黄铜矿系I-III-VI族化合物半导体形成的光吸收层的光电转换装置。在日本特开2000-156517号公报中，公开了ー种在形成于基板上的电极上设置了由Cu (In，Ga) Se2等化合物半导体薄膜构成的光吸收层的例子。在该光吸收层上，设置有由CdS构成的缓冲层和由ITO构成的透明导电膜。在这种光电转换装置中，有时会产生黄铜矿结构的一部分成为空洞的缺陷部分。从产生了上述缺陷部分的光吸收层中，难以取出大电流。·
技术实现思路
本专利技术的目的在于，减少造成光吸收层的黄铜矿结构缺陷的空洞，并提高光电转换效率。本专利技术ー实施方式的光电转换装置，具有电极层和设置于该电极层上的光吸收层。在本实施方式中，对所述光吸收层而言，层叠有多个含有I-III-VI族黄铜矿系化合物半导体的半导体层。所述半导体层含有氧，并且所述半导体层的相互层叠侧表面附近的所述氧的摩尔浓度，高于所述半导体层的所述氧的平均摩尔浓度。基于本专利技术ー实施方式的光电转换装置，能够用氧填补在相邻半导体层彼此的界面附近容易产生的缺陷。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：浅尾英章，鎌田塁，笠井修一，小栗诚司，田中勇，堀内伸起，梅里计匡，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：
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