背接触太阳能电池的制造方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术描述了背接触太阳能电池的制造方法及其装置。用于制造背接触太阳能电池的方法包括在布置于衬底上方的材料层上方形成N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层。N型掺杂剂源层与P型掺杂剂源层隔开。对N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层进行加热。随后，在N型掺杂剂源层和P型掺杂剂源层之间在材料层中形成沟槽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及可再生能源领域，具体地，涉及背接触太阳能电池的制造方法及其装置。
技术介绍
通常称为太阳能电池的光伏电池是用于将太阳辐射直接转换为电能的众所周知的装置。通常，使用半导体处理技术以在衬底的表面附近形成p-n结来在半导体晶片或衬底上制造太阳能电池。撞击在衬底表面上的太阳辐射在大部分衬底中产生电子和空穴对，该电子和空穴对迁移到衬底中的P掺杂区和η掺杂区，从而在这些掺杂区之间产生电压差。这些掺杂区连接至在太阳能电池上的金属触点，以将电流从太阳能电池引到耦接至太阳能电池的外部电路。效率是太阳能电池的重要特性，因为它与太阳能电池的发电能力直接相关。因此，用于提高太阳能电池的效率的技术通常是人们所期望的。本专利技术的实施例允许通过提供用于制造新的太阳能电池结构的工艺来提高太阳能电池效率
技术实现思路
附图说明图IA示出了根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制造过程中的阶段的截面视图。图IB示出了根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制造过程中的阶段的截面视图。图IC示出了根据本专利技术实施例的背接触太阳能电池的制造过程中的阶段的截面视图。图2Α示出了根据本专利技术实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，大卫·史密斯，彼得·卡曾斯，
申请(专利权)人：太阳能公司，
类型：
国别省市：