太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块制造技术

本发明专利技术提供一种抑制了太阳能电池元件的翘曲量的太阳能电池模块。该太阳能电池元件具有：半导体基板，其具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通了所述第一面和所述第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔；第一电极，其具有分别设置于所述多个贯通孔内的多个导通部及设置于所述第二面上且与所述导通部电连接的第一输出取出部；第二电极，其以与所述第一输出取出部分开的方式设置于所述第二面上且电阻率为2.5×10-8Ω·m以下；第一配线件，其与所述第一输出取出部连接；第二配线件，其与所述第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及太阳能电池元件及使用该太阳能电池元件的太阳能电池模块。
技术介绍
作为太阳能电池元件的一种，例如国际公布第2008/078741号小册子所示那样，有背接触型的太阳能电池元件。背接触型的太阳能电池元件在背面侧具有第一电极和第二电极，通过用配线件将一个太阳能电池元件的第一电极和另一个太阳能电池元件的第二电极电连接而构成太阳能电池模块。
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在由以往的背接触型的太阳能电池元件构成的太阳能电池模块中，由于太阳能电池元件和配线件的热膨胀系数的不同而引起翘曲量变大，太阳能电池模块的形成工序的操作性变难，有时工序中有产生裂纹等的情况。另一方面，若减少配线件，则有时也有输出特性降低的情况。本专利技术是为了解决上述问题而作出的，其目的在于提供一种减少太阳能电池元件的翘曲量并且减少输出特性的降低的太阳能电池模块。用于解决课题的手段本专利技术的太阳能电池元件具有半导体基板，其具有接受光的第一面及该第一面的背面侧的第二面且形成有贯通了所述第一面及所述第二面之间的、在一方向上排列的多个贯通孔；第一电极，其具有分别设置于所述多个贯通孔内的多个导通部及设置于所述第二面上且与所述导通部电连接的第一输出取出部；第二电极，其以与所述第一输出取出部分开的方式设置于所述第二面上且电阻率为2. 5Χ10_8Ω ·πι以下；第一配线件，其与所述第一输出取出部连接；第二配线件，其与所述第二电极连接且以长度方向的端面与所述第一配线件的长度方向的端面对置的方式配置。专利技术效果根据本专利技术，通过特定背面侧的电极的表面电阻和配线结构，能够在维持太阳能电池模块的输出特性的同时，减少由于配线件引起的太阳能电池元件的翘曲量。附图说明图I是从表示本专利技术的实施方式涉及的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。图2是从表示本专利技术的实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。图3是图I的A-A线的剖视图的一例。图4是图I的A-A线的剖视图的另一例。图5是示意性地表示本专利技术的实施方式涉及的太阳能电池模块的结构的图，(a)是侧视图，(b)是俯视图。图6是表示本专利技术的实施方式涉及的太阳能电池模块的俯视图。图7是从表示本专利技术的实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。图8是从比较例I的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。图9是从比较例I的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。图10是在从比较例I的太阳能电池元件的第二侧面观察的配线状态下的俯视图。 图11是从比较例2的太阳能电池元件的第一侧面观察的俯视图。图12是从比较例2的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。图13是在从表示比较例2的太阳能电池元件的由配线件连接的状况的第二侧面观察的配线状态下的俯视图。图14是从表示本专利技术的另一实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。图15是从表示本专利技术的另一实施方式涉及的太阳能电池元件的第二侧面观察的俯视图。图16是表示本专利技术的太阳能电池元件的第二电极结构的简要剖视图。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细的说明。《太阳能电池元件》太阳能电池元件10如图I 图3所示那样，具有一导电型的半导体基板I ;具有与半导体基板I不同的导电型的反向导电型层2 ;贯通孔3 ;第一电极4 ;第二电极5。半导体基板I具有第一面IF(图3中的上表面侧)和第一面IF的背面侧的第二面IS(图3中的下表面侧)。在太阳能电池元件10中，第一面IF成为表面(以下，为了方便说明，有时也将第一面IF称为半导体基板I的表面，将第二面IS称为半导体基板I的背面等)。作为半导体基板1，例如使用具有规定的掺杂元素(导电型控制用的不纯物)而呈现一导电型(例如P型)的单晶娃基板或多晶娃基板等晶体娃基板。半导体基板I的厚度例如更加优选为250 μ m以下，进一步优选为150 μ m以下。半导体基板I的形状并不特别限制，但如本实施方式那样若为四边形状，则从制法上的观点出发为佳。在本实施方式中，以使用呈现P型的导电型的晶体硅基板作为半导体基板I的例子进行说明。在半导体基板I为P型的晶体硅基板的情况下，作为掺杂元素，例如使用硼或镓为佳。在半导体基板I的第一面IF的一侧，如图3所示那样，形成有用于使第一面IF的入射光的反射减少而使太阳光更多地向半导体基板I内吸收的、由多个细微的突起构成的纹理结构(凹凸结构)la。需要说明的是，纹理结构Ia根据需要形成即可。另外，在半导体基板I上，如图3所示那样在第一面IF和第二面IS之间形成有多个贯通孔3。另外，在贯通孔3的内部形成有第一电极4的导通部4b。贯通孔3优选直径为50 μ m以上300 μ m以下的范围，以固定的间距形成。需要说明的是，贯通孔3的内表面是指半导体基板I的形成有贯通孔3的部位的内壁面。贯通孔3如后述那样，在其内表面形成有第二反向导电型层2b。反向导电型层2为具有与半导体基板I相反的导电型的层。反向导电型层2具有形成于半导体基板I的第一面IF侧的第一反向导电型层2a、形成于贯通孔3的内表面的第二反向导电型层2b及形成于半导体基板I的第二面IS侧的第三反向导电型层2c。在作为半导体基板I而使用P型硅基板的情况下，反向导电型层2为η型。另一方面，若为作为半导体基板I而使用η型娃基板的情况,则反向导电型层2为P型。将第一反向导电型层2a形成为具有60 300 Ω / □左右的表面电阻的η+型层为佳。通过设为该范围，能够抑制在第一面IF的表面复合的增大及表面电阻的增大。第一反向导电型层2a、第二反向导电型层2b优选在半导体基板I的第一面IF以O. 2μηι 2μηι左右的厚度形成。 第三反向导电型层2c形成于半导体基板I的第二面IS中的第一电极4的形成区域及其周边部。通过如此具有反向导电型层2，在太阳能电池元件10中，在反向导电型层2和半导体基板I之间形成pn结。太阳能电池元件10如图3所示那样，在半导体基板I的第二面IS具有半导体层6。为了抑制在半导体基板I的第二面IS的附近由于产生载流子复合而引起发电效率的降低，半导体层6以在太阳能电池元件10的内部形成内部电场即得到所谓的背面电场(BSF)效应为目的而设置。半导体层6在半导体基板I的第二面IS的一侧形成于未设置第一电极4的区域(非形成区域)。更加详细而言，半导体层6在半导体基板I的第二面IS的一侧以不与第三反向导电型层2c及第一电极4相接的方式形成。另外，在第三反向导电型层2c和半导体层6之间及半导体基板I的第二面IS的周缘部设置有pn分离区域，半导体基板I露出于这样的pn分离区域。半导体层6呈现与半导体基板I相同的导电型，但与半导体基板I含有的掺杂浓度相比，具有高浓度的掺杂浓度。在此，“高浓度”是指存在与为了在半导体基板I中呈现一导电型而掺杂形成的掺杂元素的浓度相比浓度高的掺杂元素。在半导体基板I为P型的情况下，半导体层6例如以通过使硼或铝等掺杂元素向第二面IS扩散，由此将这些掺杂元素的浓度形成为IXlO18 5X1021atoms/cm3左右的方式形成为佳。由此，半导体层6成为含有与半导体基板I相比高浓度的掺杂的P+型的导电型，实现后述的与第二电极5之间的欧姆接触。太阳能电池元件6如图I所示那样，在半导体基板I的第一面IF侧具有防反射膜7。防反射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅田耕太郎，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：