光伏器件导电层制造技术

一种多层结构可以包括位于透明导电氧化物层上的掺杂的缓冲层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及光伏器件及其制造方法。
技术介绍
光伏器件可以包括形成在基底上方的半导体材料，半导体材料例如具有用作窗口层的第一层和用作吸收层的第二层。当前的光伏器件的效率低。附图说明图I是多层基底的示意图。图2是具有多个层的光伏器件的示意图。图3是溅射沉积室的示意图。具体实施例方式光伏器件可以包括在基底(或超基底)上构建的多个层。例如，光伏器件可以包括在基底上以堆叠件形成的阻挡层、透明导电氧化物(TCO)层、缓冲层和半导体层。每个层进而可以包括多于一个的层或膜。例如，半导体层可以包括第一膜，包括形成在缓冲层上的半导体窗口层，例如，硫化镉层；第二膜，包括形成在半导体窗口层上的半导体吸收层，例如，碲化镉层。另外，每个层可以覆盖该器件的全部或一部分和/或位于该层下方的基底或层的全部或一部分。例如，“层”可以包括与表面的一部分或全部接触的任何材料的任何量。光伏器件可以包括半导体双层，该半导体双层可以包括硫化镉层上的碲化镉层。对于包括碲化镉的光伏器件，可以通过增大碲化镉块的载流子浓度来提高器件效率。现有的增大碲化镉块的载流子浓度的方法涉及将诸如铜的外部掺杂剂加入到背接触层中。例如，光伏器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：本雅明·布勒，阿克列士·古普塔，
申请(专利权)人：第一太阳能有限公司，
类型：
国别省市：