具有透明的导电屏障层的光伏器件制造技术

本发明专利技术提供了用于获得对于湿汽和/或氧降解及关键元素如Na、Li和镧系元素从吸收剂层的伴随迁移具有更高抗性且具有更长的使用寿命和改善的性能的光伏器件的策略。这些策略特别地可用于制造基于硫属元素化物的光伏器件如基于硫属元素化物的太阳能电池。这些策略在光电吸收剂区和前侧集电栅之间整合了屏障区。屏障区阻止湿汽和/或氧进入吸收剂层并将关键元素如Na、Li和Ln保留在吸收剂层中。结果，吸收剂层保持其工作能力更长的时间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及整合了有利于形成外部电连接的方便性的前侧集电器(通常导电栅)的光伏器件，且更特别地涉及基于硫属元素化物的光伏器件，其中屏障层插置在吸收剂层和所述前侧集电器之间。现有技术 η-型硫属元素化物成分和/或P-型硫属元素化物成分两者都被引入光伏器件的元件中。P-型硫属元素化物成分在这些器件中用作光电吸收剂区。说明性的P-型光电活性硫属元素化物成分通常包括铝(Al)、铜(Cu)、铟(In)和/或镓(Ga)的至少一种或多种的硫化物和/或硒化物。更典型地，存在Cu、In和Ga中的至少两种或甚至所有三种。这类材料称为CIAS、CIS、CISS、CIGS和/或CIGSS成分等等(下面统称为CIGS成分)。基于CIGS成分的吸收剂提供了几种优势。其一，这些成分具有非常高的用于吸收入射光的截面，这意味着非常高百分比的入射光可以被非常薄的基于CIGS的吸收剂层捕获。例如，在许多器件中，基于CIGS的吸收剂层具有约Ιμπι-约3μπι的厚度。这些薄层允许整合这些层的器件为柔性的。这与基于晶体硅的吸收剂相反。基于晶体硅的吸收剂具有用于光捕获的较低截面且一般必须厚得多以捕获相同量的入射光。基于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·KL·菲斯特，T·R·布赖登，M·W·德格鲁特，J·乔治，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，
类型：
国别省市：