太阳能电池制造技术

一种太阳能电池，带有：在第二主表面上的带有多个岛状凹处的钝化层序列，在所述凹处中钝化层被完全去除；在钝化层序列上以及在衬底表面上的凹处中布置的薄的第一金属层；覆盖第一金属层的薄的介电的覆盖层，该覆盖层具有窄的线状开口的第一规则布置以及明显更宽的线状或者长形延伸的岛状开口的第二规则布置，其中第一开口布置和第二开口布置以一角度取向，尤其是横向于彼此取向；以及第一开口布置和第二开口布置的开口中的高导电性的以及在暴露表面上的能焊接的第二金属层，其在那里接触第一金属层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其是太阳能电池领域，并且涉及一种带有η掺杂或者P掺杂的半导体衬底以及钝化的背侧的晶体太阳能电池。
技术介绍
带有“钝化的背侧”的硅太阳能电池具有改善的光学镜面化以及具有相对于迄今按照标准制造的铝背面电场(BSF)极大改善的、后表面的钝化，参见A. Goetzberger等人的“Sonnenenergie: Photovoltaik”，B. G. Teubner Stuttgart, 1997。由此制造的电池方案称为“钝化发射极和背面电池，Passivated Emitter and Rear Cell” (PERC)0在此， 与背侧掺杂匹配的介电钝化物局部地在多个小点上开口，由此，沉积在钝化层上的金属层可以接触半导体，然而仅仅在背侧的小的面部分上，以便将金属化表面上的电子一空穴对的强烈复合最小化。背侧的金属化物在大多数情况中由铝构成，并且通常借助真空汽化渗镀技术或者溅射来大面积地沉积在整个背侧上。涉及这种太阳能电池及其制造方法并且与背侧结构化步骤和/或背侧嵌入掺杂材料关联的出版物例如是DE 195 25 720 C2、DE 10 2007 059 4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：HJ克罗科青斯基，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：
国别省市：