太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池，包含基板、钝化层、背电极层以及至少一汇流电极。基板具有相对的第一主表面与第二主表面，其中第二主表面作为入光面，第一主表面分为第一区域与第二区域。钝化层设置于第一主表面上，其中钝化层包含设置于第一区域上的第一部份与设置于第二区域上的第二部份，第一部份具有多个开孔，且开孔裸露基板。背电极层设置于第一部份上与开孔中，背电极层透过开孔与基板接触。汇流电极设置于第二部份上，其中基板与汇流电极被钝化层的第二部份隔离。藉由使太阳能电池的基板与汇流电极被钝化层的第二部份隔离，于是开孔对于钝化层的开口率下降，钝化层的结构将会较为完整，可以提升太阳能电池的转换效率0.01％至0.02％。

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种太阳能电池。
技术介绍
近年来，由于地球暖化及全球能源危机的问题，各国皆投入研究低耗能、低污染的各种半导体元件，而其中又以无耗损及无污染的绿能产业太阳能电池，最为热门。按照制作材料，太阳能电池可分为硅基半导体电池、碲化镉薄膜电池、CIGS(铜、铟、镓、硒)薄膜电池、染料敏化薄膜电池、有机材料电池等。其中硅电池又分为单晶电池、多晶电池和无定形硅薄膜电池等。对于太阳能电池来说最重要的参数是转换效率，目前在实验室所研发的硅基太阳能电池中，单晶硅电池效率为25.0％，多晶硅电池效率为20.4％，CIGS薄膜电池效率达19.8％，碲化镉薄膜电池效率达19.6％，无定形硅薄膜电池的效率为10.1％。为了进一步改善太阳能电池的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性(特别是较佳转换效率)的太阳能电池，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本技术的一技术态样是在提供一种太阳能电池，藉由降低开孔对于钝化层的开口率，以提升太阳能电池的转换效率。根据本技术一实施方式，一种太阳能电池，包含基板、钝化层、背电极层以及至少一汇流电极。基板具有相对的第一主表面与第二主表面，其中第二主表面作为入光面，第一主表面分为第一区域与第二区域。钝化层设置于第一主表面上，其中钝化层包含设置于第一区域上的第一部份与设置于第二区域上的第二部份，第一部份具有多个开孔，且开孔裸露基板。背电极层设置于第一部份上与开孔中，背电极层透过开孔与基板接触。汇流电极设置于第二部份上，其中基板与汇流电极被钝化层的第二部份隔离。于本技术的一或多个实施方式中，开孔对于钝化层的开口率为1％至2％。于本技术的一或多个实施方式中，开孔对于钝化层的开口率为1.5％。于本技术的一或多个实施方式中，开孔形成多条直排，直排与汇流电极垂直。于本技术的一或多个实施方式中，直排包含多个第一直排与多个第二直排，第一直排的虚拟延伸直线与汇流电极交错，第一直排之间具有第一间距，第二直排之间具有第二间距，第一间距与第二间距不同。于本技术的一或多个实施方式中，开孔与汇流电极之间的最小距离为20μm至200μm。于本技术的一或多个实施方式中，开孔形成多条直排，直排与汇流电极平行。于本技术的一或多个实施方式中，汇流电极为多个，直排包含多个第三直排、多个第四直排以及多个第五直排，第三直排设置于汇流电极与太阳能电池的底面与汇流电极平行的边缘之间，第四直排的虚拟延伸直线与汇流电极交错，第五直排设置于汇流电极之间，第三直排之间具有第三间距，第四直排之间具有第四间距，第五直排之间具有第五间距，第三间距、第四间距、第五间距互不相同。于本技术的一或多个实施方式中，第三间距为200μm至2mm，第四间距为200μm至2mm，第五间距为200μm至2mm。于本技术的一或多个实施方式中，开孔与汇流电极之间的最小距离为20μm至500μm。于本技术的一或多个实施方式中，汇流电极包含平行并列设置的第一汇流电极、第二汇流电极以及第三汇流电极，第一汇流电极、第二汇流电极以及第三汇流电极的底面形状为矩形，太阳能电池的底面与汇流电极平行的边缘与第一汇流电极的短边中心的间距为20mm至30mm，第一汇流电极的短边中心与第二汇流电极的短边中心的间距为45mm至55mm，第二汇流电极的短边中心与第三汇流电极的短边中心的间距为45mm至55mm，第三汇流电极的短边中心与太阳能电池的底面与汇流电极平行的边缘的间距为20mm至30mm。于本技术的一或多个实施方式中，第二部份不具有开孔。于本技术的一或多个实施方式中，钝化层包含氧化铝层与氮化硅层，氧化铝层设置于基板与氮化硅层之间，氮化硅层设置于氧化铝层与背电极层之间或氧化铝层与汇流电极之间。本技术不同实施方式藉由使太阳能电池的基板与汇流电极被钝化层的第二部份隔离，且使钝化层的第二部份不具有开孔。于是，因为开孔对于钝化层的开口率下降，钝化层的结构将会较为完整，因而可以提升太阳能电池的转换效率0.01％至0.02％。附图说明图1绘示依照本技术一实施方式的太阳能电池的背视示意图。图2绘示依照本技术一实施方式的太阳能电池的剖面示意图，其剖面位置为沿图1的线段2。图3绘示依照本技术一实施方式的太阳能电池的剖面示意图，其剖面位置为沿图1的线段3。图4绘示图1的太阳能电池的另一背视示意图。图5绘示依照本技术另一实施方式的太阳能电池的背视示意图。其中，附图标记：100：太阳能电池101：底面110：基板111：第一主表面112：第一区域113：第二区域116：第二主表面120：钝化层122：第一部份123：第二部份125：氧化铝层126：氮化硅层127：开孔130：背电极层140：汇流电极141：第一汇流电极142：第二汇流电极143：第三汇流电极150：直排151：第一直排152：第二直排153：第三直排154：第四直排155：第五直排D：直径L：边长M1、M2、M3、M4、M5：区域P、P6、P7、P8、P9：间距P1：第一间距P2：第二间距P3：第三间距P4：第四间距P5：第五间距W：短边长度具体实施方式以下将以附图公开本技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本技术。也就是说，在本技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。图1绘示依照本技术一实施方式的太阳能电池100的背视示意图。本实用新型不同实施方式提供一种太阳能电池100。太阳能电池100主要为射极钝化及背电极(Passivated Emitter and Rear Cell，PERC)结构。图2绘示依照本技术一实施方式的太阳能电池100的剖面示意图，其剖面位置为沿图1的线段2。图3绘示依照本技术一实施方式的太阳能电池100的剖面示意图，其剖面位置为沿图1的线段3。如图1、图2以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，包含：一基板，具有相对的一第一主表面与一第二主表面，其中该第二主表面作为入光面，该第一主表面分为一第一区域与一第二区域；一钝化层，设置于该第一主表面上，其中该钝化层包含设置于该第一区域上的一第一部份与设置于该第二区域上的一第二部份，该第一部份具有多个开孔，且该些开孔裸露该基板；一背电极层，设置于该第一部份上与该些开孔中，该背电极层透过该些开孔与该基板接触；以及至少一汇流电极，设置于该第二部份上，其中该基板与该汇流电极被该钝化层的该第二部份隔离。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包含：
一基板，具有相对的一第一主表面与一第二主表面，其中该第二主表面作
为入光面，该第一主表面分为一第一区域与一第二区域；
一钝化层，设置于该第一主表面上，其中该钝化层包含设置于该第一区域
上的一第一部份与设置于该第二区域上的一第二部份，该第一部份具有多个开
孔，且该些开孔裸露该基板；
一背电极层，设置于该第一部份上与该些开孔中，该背电极层透过该些开
孔与该基板接触；以及
至少一汇流电极，设置于该第二部份上，其中该基板与该汇流电极被该钝
化层的该第二部份隔离。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该些开孔对于该钝化
层的开口率为1％至2％。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该些开孔对于该钝化
层的开口率为1.5％。
4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该些开孔形成多条直
排，该些直排与该汇流电极垂直。
5.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，该些直排包含多个第
一直排与多个第二直排，该些第一直排的虚拟延伸直线与该汇流电极交错，该
些第一直排之间具有一第一间距，该些第二直排之间具有一第二间距，该第一
间距与该第二间距不同。
6.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，该些开孔与该汇流电
极之间的最小距离为20μm至200μm。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该些开孔形成多条直
排，该些直排与该汇流电极平行。
8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，该些汇流电极为多个，
该些直排包含多个第三直排、多个第四直排以及多个第五直排，该些第三直排
设置于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴家宏，柯震宇，颜贤成，陈易聪，童智圣，洪光辉，蔡惟鼎，邱彦凱，欧乃天，黄桂武，
申请(专利权)人：昱晶能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71