光电子半导体芯片及其制造方法技术

说明一种具有半导体层堆叠（2）和辐射出射面或辐射入射面（3）的光电子半导体芯片（10）。半导体层堆叠（2）具有活性层（2a），其适于生成或者接收电磁辐射。在半导体层堆叠（2）中和/或在辐射出射面或辐射入射面（3）上布置多个纳米结构（4），这些纳米结构至少部分地具有至少一个子结构（41、42）。此外说明一种用于制造这种光电子半导体芯片（10）的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有半导体层堆叠和辐射出射面或辐射入射面的光电子半导体芯片以及一种用于制造该光电子半导体芯片的方法。本专利申请要求德国专利申请10 2010 020 789. 6的优先权，其公开内容通过回引结合于此。
技术介绍
例如LED的发射辐射的半导体芯片或者例如传感器或探测器的接收辐射的半导体芯片的功率特别是通过使用在上面生长半导体芯片的半导体层的衬底而受到影响。衬底尤其是与半导体芯片的半导体层相比大多具有膨胀系数和/或点阵参数·(Gitterparameter)方面的显著差异。由此可能产生导致不福射或不接收的复合中心的点阵位错和点缺陷，由此半导体芯片的内部和外部的量子效率可能受到不利影响。此外可能因此产生半导体芯片中的漏电流路径。为了改善来自或去到半导体芯片的光输出耦合或光输入耦合，已知将射在半导体芯片与环境之间的界面上的辐射的角度保持得比全反射的临界角度小。为此例如在使用VOH (氢氧化钾)的情况下利用湿化学刻蚀过程来处理例如半导体芯片的表面，由此可以在该表面上形成特殊的三维结构，但是该三维结构由于选择性化学反应而不会导致最大的和与角度无关的辐射发射。为了优化半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W贝格鲍尔，L赫佩尔，P德雷希泽尔，C克尔佩尔，M施特拉斯堡，P罗德，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：
国别省市：