用于局部高掺杂和接通是太阳能电池或太阳能电池前体的半导体结构的方法技术

本发明专利技术涉及一种用于局部高掺杂和接通半导体结构的方法，所述半导体结构是太阳能电池或太阳能电池前体并且具有基区掺杂类型的硅半导体衬底(1)，所述高掺杂和接通以下述方式进行：在半导体衬底的接通面(1a)上的半导体衬底(1)中形成多个基区掺杂类型的局部高掺杂区域并且在接通面(1a)上或者在一个或多个完全或部分覆盖接通面(1a)的中间层上敷镀一个金属的接通层(7)，以便在所述高掺杂区域上在接通层(7)与半导体衬底(1)之间形成导电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求I的上位概念所述的用于局部高掺杂和接通半导体结构的方法，所述半导体结构是太阳能电池或太阳能电池前体并且具有基区掺杂类型的娃半导体衬底。
技术介绍
在基于硅半导体衬底的光伏太阳能电池中已经研究出许多方法用来一方面在将入射的电磁辐射转换为电能时达到高效率并且另一方面实现低成本的工业生产。尤其是在发射极和由此分离所产生的载流子对的pn结构造在太阳能电池的用于光入射的正面区域上或中的太阳能电池中，基区的电接通通常借助设置在背面的金属的接通层来进行，所述接通层与半导体衬底导电连接。其中，要达到高效率，有效的背面钝化、即尤其是在半导体 衬底的背面的表面区域中实现少数载流子的低表面复合速度以及实现低接触电阻的接通，就具有重要意义。已知这样的太阳能电池结构，其中，半导体衬底的背面基本上整面地被氮化硅或二氧化硅层覆盖，从而实现了低表面复合速度。仅在点接触上钝化层点状断开并形成与金属接通层的导电连接。通过在点接触区域中的局部高掺杂实现效率的提高，因为通过局部高掺杂可降低背面的复合并且附加地减小金属的接通层与半导体衬底之间的接触电阻。这种太阳能电池结构例如是PERL结构(钝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：多米尼克·苏维托，简·贝尼克，乌尔里希·耶格尔，
申请(专利权)人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会，弗赖堡阿尔伯特路德维格大学，
类型：
国别省市：