半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的之一是提供一种包括氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。通过在超过200℃的温度下利用溅射法形成用作晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜，使根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.5个/nm3以下。通过防止会成为包括氧化物半导体膜的晶体管的电特性变动原因的水、氢、羟基或氢化物等的包含氢原子的物质混入到氧化物半导体膜中，可以使氧化物半导体膜高纯度化并成为电特性i型（本征）化半导体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。注意，在本说明书中，半导体装置通常是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置，因此电光装置、半导体电路及电子设备都是半导体装置。
技术介绍
利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来构成晶体管的技术受到注目。该晶体管被广泛地应用于电子器件诸如集成电路(1C)、图像显示装置(显示装置)等。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜的材料，硅类半导体材料是众所周知的。但是，作为其他材 料，氧化物半导体受到注目。例如，作为用于晶体管的沟道形成区的半导体层，公开有使用电子载流子浓度低于IO1Vcm3的包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管(参照专利文献I)。日本专利申请公开2006-165528号公报
技术实现思路
但是，当在装置制造工序中氧化物半导体中混入产生电子给体(供体)的氢或水时，有可能导致其导电率变化。该现象是导致使用氧化物半导体的例如晶体管的半导体装置的电特性变动的因素。鉴于上述问题，本专利技术的目的之一是提供一种具有稳定的电特性的使用氧化物半导体的半导体装置。本专利技术的一种实施方式是为了抑制使用氧化物半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，佐佐木俊成，野田耕生，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：
国别省市：