薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管和主动矩阵式平面显示装置，该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、源极、漏极以及多个氧化物半导体层，其中，多个氧化物半导体层依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间，其包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。通过以上方式，本发明专利技术保证了薄膜晶体管电性正常，从而保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置。
技术介绍
目前，OxideTFT (氧化物薄膜晶体管)因其制备温度要求低，迁移率高等优势已经普遍应用于高频显示和高分辨率显示产品。Oxide TFT技术是将原本的硅半导体材料部分置换成氧化物半导体如IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)，以形成TFT半导体层。但是，Oxide TFT中由IGZO形成的半导体层极容易受H-based bonds (含有氢元 素的键结)的影响，当GI (Gate Insulator,栅极绝缘层)层含有较高的N_H bond (氮氢键)时会产生高GI/IGZO interfacial trap density (界面陷讲密度),从而造成oxide TFT电性异常。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管及主动矩阵式平面显示装置，能够有效阻挡栅极绝缘层中所含的氢元素的键结对薄膜晶体管电性的影响，因此，保证了薄膜晶体管电性正常及主动矩阵式平面显示装置的显示品质。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极；第一绝缘层，设置在所述栅极上；源极和漏极，分别设置在所述第一绝缘层上；以及多个氧化物半导体层，依次层叠设置在所述源极和漏极以及所述第一绝缘层之间，其中，所述多个氧化物半导体层包括紧靠所述第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与所述源极和漏极电性连接的第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的电阻率大于104Ω.cm，所述第二氧化物半导体层的电阻率小于1Ω.cm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：江政隆，陈柏林，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：