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本发明公开了一种薄膜晶体管和主动矩阵式平面显示装置,该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、源极、漏极以及多个氧化物半导体层,其中,多个氧化物半导体层依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间,其包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种薄膜晶体管和主动矩阵式平面显示装置,该薄膜晶体管包括栅极、第一绝缘层、源极、漏极以及多个氧化物半导体层,其中,多个氧化物半导体层依次层叠设置在源极和漏极以及第一绝缘层之间,其包括紧靠第一绝缘层设置的第一氧化物半导体层以及与源...