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本发明涉及一种用于局部高掺杂和接通半导体结构的方法，所述半导体结构是太阳能电池或太阳能电池前体并且具有基区掺杂类型的硅半导体衬底(1)，所述高掺杂和接通以下述方式进行：在半导体衬底的接通面(1a)上的半导体衬底(1)中形成多个基区掺杂类型的...该专利属于弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学所有，仅供学习研究参考，未经过弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学授权不得商用。