一种实现半导体可饱和吸收镜全光纤化封装的方法技术

一种实现半导体可饱和吸收镜全光纤化封装的方法，在陶瓷光纤插针上表面的除光纤纤芯端面以外的地方均匀涂抹紫外胶水，慢慢的将未封装的半导体可饱和吸收镜水平放置在光纤FC接头的陶瓷光纤插针上表面，把光纤FC接头的另一端光纤连接到光纤激光器腔体中，当实验证明放置的该型号半导体可饱和吸收镜参数不符合实验要求或实验过程中半导体可饱和吸收镜对应的光纤纤芯端面位置被打坏时，更换半导体可饱和吸收镜或光纤FC接头，当实验证明半导体可饱和吸收镜的各项参数符合要求，进行紫外胶水固化。本发明专利技术打破国外技术垄断，操作简单，成本低，可重复性好，填补了国内该技术领域的空白。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基于半导体可饱和吸收镜全光纤化激光器，特别是。
技术介绍
基于半导体可饱和吸收镜的被动锁模光纤激光器能产生皮秒(10_12秒)至飞秒(10_15秒)量级的超短脉冲，超短脉冲技术是物理学、化学、生物学、光电子学，以及激光光谱学等学科对微观世界进行研究和揭示新的超快过程的重要手段，也是实现超高速光通信系统的必要条件之一。超短脉冲技术在工业加工、医学、光信息处理、全色显示和激光印刷等领域也具有广阔的应用前景。半导体可饱和吸收镜是被动锁模光纤激光器产生超短脉冲的重要锁模器件。 半导体可饱和吸收镜是利用分子束外延技术开发出来的利用半导体吸收漂白特性的新型锁模器件，该被动锁模器件改变了以前其它可饱和吸收体很难实现连续波锁模的状况，具有十分重要的意义。半导体可饱和吸收镜通常是以砷化镓(GaAs)为基底，在基底上交替生长若干层砷化铝(AlAs)和砷化镓(GaAs)或铝砷钾(AlGaAs)和砷化铝(AlAs)的重复结构，适当控制各层的厚度，就可以使该结构类似于布拉格反射光栅，起到反射镜的作用。在该光栅结构上低温生长铟砷钾(InGaAs)或砷化镓(GaAs)的多量子阱结构，该多量子阱结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现半导体可饱和吸收镜全光纤化封装的方法，其特征在于：包括光纤FC接头和未封装的半导体可饱和吸收镜，光纤FC接头固定在支架上；光纤FC接头包括光纤纤芯、陶瓷光纤插针、光纤；在陶瓷光纤插针上表面的除光纤纤芯端面以外的地方均匀涂抹紫外胶水，慢慢将未封装的半导体可饱和吸收镜水平放置在光纤FC接头的陶瓷光纤插针上表面，把光纤FC接头的另一端光纤连接到光纤激光器腔体中，半导体可饱和吸收镜作为被动锁模光纤激光器的一个反射镜和锁模器件；当实验证明放置的该型号半导体可饱和吸收镜参数不符合实验要求或实验过程中半导体可饱和吸收镜对应的光纤纤芯端面位置被打坏时，更换半导体可饱和吸收镜或光纤FC接头，并在光纤FC...

【技术特征摘要】
1.一种实现半导体可饱和吸收镜全光纤化封装的方法，其特征在于包括光纤FC接头和未封装的半导体可饱和吸收镜，光纤FC接头固定在支架上；光纤FC接头包括光纤纤芯、陶瓷光纤插针、光纤；在陶瓷光纤插针上表面的除光纤纤芯端面以外的地方均匀涂抹紫外胶水，慢慢将未封装的半导体可饱和吸收镜水平放置在光纤FC接头的陶瓷光纤插针上表面，把光纤FC接头的另一端光纤连接到光纤激光器腔体中，半导体可饱和吸收镜作为被动锁模光纤激光器的一个反射镜和锁模器件；当实验证明放置的该型号半导体可饱和吸收镜参数不符合实验要求或实验过程中半导体可饱和吸收镜对应的光纤纤芯端面位置被打坏时，更换半导体可饱和吸收镜或光纤FC接头，并在光纤FC接头陶瓷光纤插针上表面的除光纤纤芯端面以外的地方均匀涂抹好紫外胶水；当实验证明半导体可饱和吸收镜的各项参数符合实验要求时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋锐，王彦斌，陈胜平，侯静，程金龙，陆启生，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：