表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜制造技术

一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一吸收区，该吸收区制作在布拉格反射镜上，采用常温生长的吸收区，非饱和损耗较小；一盖层，该盖层制作在吸收区上，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子驰豫的通道。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜，特别是指一种适用于1060nm附近波长固体激光器被动锁模用的半导体可饱和吸收镜。
技术介绍
近年来超短脉冲激光技术得到迅速的发展，带动了超短脉冲激光(皮秒、飞秒)在物理、化学、生物医学等领域的发展，促进了上述学科的变革。自1992年起，以瑞士联邦工业学院的凯勒等人为主，国际上掀起了研制半导体可饱和吸收镜的热潮。这种被动锁模吸收体采用MOCVD或MBE低温生长方法来生长非饱和光吸收区和载流子驰豫区(通常两者是合二为一的)，在衬底和吸收区之间生长布拉格反射镜。吸收区和布拉格反射镜的光学长度为反法布里-帕罗腔(即往返光程为波长的半整数倍，以减少色散)。通过改变吸收区(载流子驰豫区)的生长温度来控制饱和恢复时间；通过改变吸收区的厚度来改变调制深度。人们用这样的器件实现了许多波长区域固体激光器的被动锁模。传统的半导体可饱和吸收镜的驰豫区与吸收区合二为一，采用低温生长制作。例如对于1060nm波长附近的半导体可饱和吸收镜，采用低温生长In0.25Ga0.75As层作为非线性吸收区兼载流子快速驰豫区(驰豫时间在皮秒量级)。这种低温生长材料含有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面态驰豫区的半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一吸收区，该吸收区制作在布拉格反射镜上，采 用常温生长的吸收区，非饱和损耗较小；一盖层，该盖层制作在吸收区上，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子弛豫的通道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇刚，马骁宇，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]