可调谐电吸收调制分布布拉格反射激光器的制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体激光器技术领域，特别是该器件内集成了电吸收调制器和分布布拉格反射半导体激光器的制作方法。其方法是结合了选区外延生长（ＳＡＧ）和量子阱混杂技术（ＱＷＩ）的优点，通过选区外延生长的方法形成器件的增益区和调制器区，用量子阱混杂技术在调制器区进一步实现带隙波长蓝移形成ＤＢＲ区。通过离子注入实现器件各个区域的电隔离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器
，特别是该器件内集成了电吸收调制器和分布布拉格反射半导体激光器的制作方法。
技术介绍
波长可调谐半导体激光器是波分复用(WDM)光通信系统中的关键器件，它可以作为提供多波长的备份激光器，减少激光器的储备，节约开支；当拥有波长路由节点上时，可增加系统的灵活性，因而具有广泛的应用前景。集成了电吸收调制器的激光器(EML)件由于器件体积小，成本低，相对于直接调制的激光器而言，EML具有更远的传输距离，在10Gb/s下可以传输120km，EML成为10Gb/s以上光城域网和干线网中的理想光源。波长可调谐电吸收调制分布布拉格反射半导体激光器集中了EML的特点已及可调谐的优点可以作为长途骨干光传输网的光反射器件或备份器件。而且从材料特性来看，波长可调谐电吸收调制分布布拉格反射半导体激光器制作中需要三种不同带隙波长材料集成例如对于工作在1.55um低损耗光纤通讯窗口的波长可调谐电吸收分布布拉格反射半导体激光器而言，需要带隙波长为1.55um的增益材料和带隙波长约为1.49-1.50um的电吸收调制器材料和带隙波长小于1.45um的低损耗波导材料的平面集成。目前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波长可调谐电吸收分布布拉格反射激光器的制作方法，包括以下步骤：步骤１：利用ＭＯＣＶＤ方法在制作了二氧化硅掩膜（１）的ｎ型ＩｎＰ衬底上依次外延ｎ－ＩｎＰ缓冲层，ＩｎＧａＡｓＰ下限制层（２），ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱（３），Ｉ ｎＧａＡｓＰ上限制层（４），ＩｎＰ注入缓冲层；步骤２：淀积介质膜（５）；步骤３：掩膜光刻制作注入保护图形，在增益区和电吸收区留下二氧化硅掩膜（５），其余区域腐蚀掉二氧化硅掩膜；步骤４：在外延片表面进行Ｐ离子注入，然后 腐蚀掉表面剩下的二氧化硅掩膜（５）；步骤５：在表面重新淀积二氧化硅掩膜；步骤６：将外延片...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵玲娟，张靖，王圩，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]