偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法技术

本发明专利技术一种偏镓砷（１００）衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷（１００）衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷（１００）衬底上，在ＧａＡｓ缓冲层表面上得到多原子台阶；一ＩｎＡｓ量子点层，该ＩｎＡｓ量子点层制作在镓砷缓冲层上，该层量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在ＩｎＡｓ量子点层上，得到ＩｎＡｓ量子点材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种采用金属有机化合物汽相外延(MOCVD)生长的铟砷(InAs)/镓砷(GaAs)量子点(QDs)材料，特别涉及一种采用偏GaAs(100)衬底生长的一种具有双模尺寸分布的InAs量子点材料。与GaAs(100)衬底上生长的量子点相比，该材料同时具有长发射波长，窄光谱线宽及高光谱强度等优点。
技术介绍
理论上预测以QDs为有源区的激光器具有高量子效率、低阈值电流和高特征温度等优越性能。近来，在GaAs衬底上生长的InAs/GaAs QDs因为可以将激光器发射波长延伸到1.3μm或1.5μm而受到广泛关注。为实现所预测的量子点激光器的优越性能，有必要很好的控制有源区量子点材料的尺寸及空间分布均匀性。为此，人们已经开发出了很多方法，其中包括在刻蚀了图形的衬底上生长量子点及选择区域生长等(Appl.Phys.Lett.77，3382(2000)；Appl.Phys.Lett.72，220(1998))。但是由于这些技术往往在量子点中引入缺陷，而限制了其在器件制作中的应用。近来的研究表明，在偏GaAs(100)衬底上生长量子点是一种简单而有效的实现量子点空间有序分布的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种偏镓砷（１００）衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷（１００）衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷（１００）衬底上，在ＧａＡｓ缓冲层表面上得到多原子台阶；一ＩｎＡｓ量子点层，该ＩｎＡｓ量 子点层制作在镓砷缓冲层上，该量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在ＩｎＡｓ量子点层上，得到ＩｎＡｓ量子点材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁松，朱洪亮，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]