镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法技术

一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层生长在有源层上；一上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆盖住电流注入窗口；一下欧姆接触层，该下欧姆接触层制作在衬底的背面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种具有良好的载流子限制和光学限制的GaAs基量子级联激光器管芯结构，尤其是单侧腔面的高反镀膜减少了光的腔面损耗。本专利技术还涉及制造GaAs基量子级联激光器管芯单元结构的方法及工艺。
技术介绍
1994年量子级联激光器的专利技术开创了“能带工程”设计与高精度的分子束外延材料生长技术相结合的新里程。量子级联激光器作为一种基于子带间电子跃迁的中、远红外单极光源与普通的半导体注入激光器相比具有以下优点(1)波长与所用材料的带隙无直接关系而是由导带中的分立子能级的相对位置确定，而这一相对位置可以通过调整有源区量子阱的厚度得以实现，理论上量子级联激光器的波长可以覆盖两个大气窗口，并可以向远红外方向拓展；(2)单极载流子的跃迁产生的光具有单向偏振(TM波)性，并且这些跃迁态的联合态密度类似于δ函数，对应的增益谱很窄、对称和具有较小的温度敏感系数，因此可望得到很低的阈值电流和单纵模输出。(3)子带间俄歇复合可以忽略，因而量子级联激光器具有较高的特征温度，有利于器件的室温工作。正是由于具有这些特点，量子级联激光器成为国际上研究的一大热点，所用材料体系也迅速由InGAs/InAlAs本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镓砷基量子级联激光器管芯单元结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；一下覆盖层，该下覆盖层生长在衬底上；一下波导层，该下波导层生长在下覆盖层上，该下波导层的两侧形成有一低于中间部位的台阶，中间为脊形；一有源 层，该有源层生长在下波导层上的中间部位；一上波导层，该上波导层生长在有源层上；一上覆盖层，该上覆盖层生长在上波导层上；一隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上并覆盖脊形的两侧及下波导层两边的上面，该隔离层的中间纵向开有一电 流注入窗口；一上欧姆接触层，该上欧姆接触层热蒸发在隔离层上，并覆...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊岐，刘峰奇，路秀真，郭瑜，梁平，胡颖，孙虹，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]