大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构制造技术

一种大功率９８０ｎｍ量子阱半导体激光器半无铝结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，为Ｎ－镓砷材料；一Ｎ型下限制层，该Ｎ型下限制层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一Ｐ型上限制层，该Ｐ型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在Ｐ型上限制层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成量子阱半导体激光器半无铝结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构。
技术介绍
大功率980nm量子阱半导体激光器在泵浦固体激光器和光纤激光器领域、医疗领域和通讯信息领域有着非常广泛的应用和市场需求。它主要用作固体激光器的高效泵浦光源，激光医疗器械，掺铒光纤放大器泵浦光源和超高速超大容量全光通信网络光源和放大器泵浦光源。随着对激光器功率的要求越来越高，器件可靠性问题越来越突出。对980nm大功率半导体激光器而言，高输出光功率密度引起的腔面光学灾变损伤、载流子漏电流和各种载流子复合热效应引起的温升是限制其可靠性和寿命的主要因素。为了解决上述问题，通常的设计方案是采用全无铝宽波导结构。一般现有结构是以InGaAs作量子阱，InGaAsP作波导层和GaInP作限制层的量子阱半导体激光器全无铝结构。虽然这种无铝波导结构具有高腔面光学灾变功率密度、热导率和电导率，且不易氧化，有利于提高器件功率和可靠性，但是由于量子阱层与上波导层和上限制层的导带带阶较小，对载流子限制能力较弱，特别容易造成导带电子向上限制层的泄漏，形成较大的电子漏电流，从而导致阈值电流密度增加，外量子效率下降，高温特性变差。另外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率９８０ｎｍ量子阱半导体激光器半无铝结构，其特征在于，包括：一衬底，该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上，为Ｎ－镓砷材料；一Ｎ型下限制层，该Ｎ型下限制层制作在缓冲层上；　 　一下波导层，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱层制作在下波导层上；一上波导层，该上波导层制作在量子阱层上；一Ｐ型上限制层，该Ｐ型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，该过渡层制作在Ｐ型上限制 层上；一电极接触层，该电极接触层制作在过渡层上，形成量子阱半...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王俊，马骁宇，林涛，郑凯，王勇刚，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]