一种非对称波导1060nm半导体激光器结构制造技术

本发明专利技术属于半导体光电子学技术领域，涉及一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，在衬底上，为N型GaAs材料；一N型下限制层，在缓冲层上，为N型InGaAsP材料；一下波导层，在下限制层上，为N型InGaAsP材料；一量子阱层，该量子阱材料为InGaAs单量子阱，制作在下波导层上；一上波导层，为P型AlGaAs材料，该上波导层在量子阱层上；一P型上限制层，在上波导层上，为P型AlGaAs材料；一过渡层，在P型上限制层上，为P型GaAs材料；一电极接触层，为P型GaAs材料，在过渡层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器
，特别是一种非对称波导1060nm半导体激光器结构。
技术介绍
1060nm波段的激光器在民用和军用领域都有十分重要的应用，例如，激光加工、激光医疗、激光退火和激光制导等。上述应用的实现要求激光器具有较高的输出功率、理想的转换效率和长期工作的可靠性。非对称非对称异质结构激光器可以降低半导体激光器的工作电压、大幅度提高器件输出效率和输出功率，使1060nm半导体激光器满足军事和民用需求。此外，该波段非对称异质结构激光器的研究也能够为其他GaAs基或InP基激光器的性能改善提供思路上的帮助。 现有的1060nm半导体激光器采用的对称波导和包覆层结构在提供必要光限制的同时，也造成了导带和价带偏移量的相对固定，这就对器件的限制结构优化造成了阻碍。它与传统意义上的非对称波导激光器是不同的，传统的非对称波导结构主要是采用同质半导体材料，利用波导层在P侧和N侧的厚度不同，控制光场在波导层中的分布，减小载流子的光吸收，减小波导结构的限制因子，从而抑制光学灾变现象的发生，提高器件的输出功率。本专利技术提出的非对称波导层结构和包覆层结构激光器是一种新型限制波导激光器，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非对称波导1060nm半导体激光器结构，包括：一衬底，为(100)面的N型GaAs材料，该衬底用于在其上外延生长激光器各层材料；一缓冲层，为N?GaAs材料，该缓冲层制作在衬底上；一N型下限制层，为N?InGaAsP材料，该N型下限制层制作在缓冲层上；一N型下波导层，为N?InGaAsP材料，该下波导层制作在下限制层上；一量子阱层，该量子阱有源区材料为较成熟的In0.13Ga0.87As，该量子阱为单量子阱，制作在下波导层上；一P型上波导层，为P?AlGaAs材料，该上波导层制作在量子阱层上；一P型上限制层，为P?AlGaAs材料，该P型上限制层制作在上波导层上；一过渡层，为P?GaAs材...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李特，李再金，芦鹏，张月，郝二娟，乔忠良，李林，邹永刚，赵英杰，曲轶，刘国军，马晓辉，
申请(专利权)人：长春理工大学，
类型：发明
国别省市：