以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法技术

一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤３：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿２～５分钟；步骤４：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体低维纳米结构量子线或点材料的定位生长和工艺控制
，特别是指一种属于一种。
技术介绍
量子线(点)等低维半导体结构材料在未来的纳米电子学、光子学等方面有着极其重要的应用前景。这方面的研究引起了国内外科技工作者的极大关注，成为了材料研究的新热点。就量子线(点)的制备方法而言，应用S-K生长模式原位自组织生长量子线(点)材料是一种最有希望制备器件级量子线(点)材料的方法。目前应用S-K生长模式已经制备出了高密度的自组织量子线(点)材料和三维的量子线(点)阵列。然而应用自组织方法制备量子线(点)材料存在与自组织过程相关的固有缺点，例如量子线(点)的成核位置在生长表面二维随机分布，造成它们的尺寸涨落较大，同时存在量子线(点)横向互连现象，这些缺点将会严重损害量子线(点)材料的光学和电学性能，例如尺寸涨落导致发光峰的非均匀展宽，使得只有一小部分量子线(点)对激光器发光有贡献，降低了光增益，影响了阈值电流的进一步降低。因此实现量子线(点)的定位生长和提高量子线(点)的有序性对于进一步提高量子线(点)的光学和电学性能具有非常重要的意义。为了实现自组织量子线(点)材料的定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤３：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿２～５分钟；步骤４：然后进行砷化铟量子线或点层的生长，完成以原位形成的垂直超晶格为模板定位生长量子线或点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王元立，吴巨，金鹏，叶小玲，张春玲，黄秀颀，陈涌海，王占国，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]