铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法技术

一种铟砷／镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤３：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度。步骤４：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤５：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定了量子的发光波长；步骤６：在第二铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指化合物半导体铟砷/镓砷(InAs/GaAs)量子点材料的分子束外延(MBE)生长方法。
技术介绍
在光通讯技术中，波长为1.3微米(μm)的光在光缆中传播时损耗最小。因此，1.3μm半导体激光器在光通讯技术中具有关键性的作用。现在制作1.3μm激光器的半导体材料主要是铟镓砷磷/铟磷(InGaAsP/InP)量子阱。上个世纪九十年代以后，由于量子点材料的基本性质在理论上的优越性，人们深入地研究和开发化合物半导体异质结量子点材料，特别是InAs/GaAs量子点材料。到目前已经取得了很大的进展。在半导体激光器的应用方面，从理论上预期的量子点材料所具有的优越性基本上都得到了证实。因此，在不太远的将来，通过人们的不懈努力，在1.3μm半导体激光器技术上，InAs/GaAs量子点材料最终将取代InGaAsP/InP量子阱材料。用MBE技术生长半导体量子点材料，量子点的基本性质对MBE生长过程的工艺条件如沉积速率、组分、温度等非常敏感。这种敏感性对于量子点的MBE生长技术即是缺点又是优点。缺点是这种敏感性使量子点材料性质重复性差。优点是利用这种敏感性通过调本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铟砷／镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底上生长一层厚的外延层； 步骤３：在外延层上沉积第一铟砷层，通过控制第一铟砷层的生长温度确定量子点面密度；步骤４：在第一铟砷层上沉积镓砷间隔层；步骤５：在镓砷间隔层上沉积第二铟砷层，第二铟砷层的生长温度决定子量子的发光波长；步骤６：在第二 铟砷层上覆盖镓砷盖层，完成器件的制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴巨，王宝强，朱战平，曾一平，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]