半导体激光元件制造技术

本发明专利技术提供一种可以适应高输出化或短波长化的具有端面保护膜的半导体激光元件。本发明专利技术是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，所述电介质膜是从所述半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜，所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体激光元件，特别涉及振荡波长在600nm以下的高输出半导体激光元件。
技术介绍
现在，作为光盘或光磁盘的写入用途，要求高输出的半导体激光元件。对于这些半导体激光元件，要求长时间、稳定地以基本模式动作。另外，为了实现对于光盘的高密度化所必需的短波长化，正在研究使用了氮化物半导体的半导体激光元件。使用了氮化物的半导体激光元件除了光盘用光源以外，还可以用于曝光用光源、印刷机用光源、医疗用光源、光通信系统用光源、测定等中。另外，由氮化物半导体构成的激光元件由于能够实现振荡波长在400nm以下的紫外区域中的使用，因此还被期待作为与生物有关的激发用光源等。专利文献1中，显示了在半导体激光元件的反射镜面上形成厚度为λ/2的Al2O3膜的构成或交互地形成厚度为λ/4的Al2O3膜与厚度为λ/4的非晶质硅膜的构成。另外，专利文献2中，显示了在电介质膜中使用Al2O3的情况以及形成条件。特开平9-162497特开2002-335053但是，当将厚度为λ/2n的Al2O3膜用单一层来形成时，则对于非晶质的Al2O3膜在输出为30mW以上的高输出驱动时即作为半导体元件反应，引起端面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光元件，是在光谐振器端面的至少一方上具有电介质膜的半导体激光元件，其特征是，所述电介质膜是从半导体的端面侧开始依次形成由相同元素构成的第一电介质膜和第二电介质膜而成的，所述第一电介质膜含有由单晶构成的膜， 所述第二电介质膜含有由非晶质构成的膜，所述第一电介质膜和第二电介质膜的组成比大致相同。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：落合真尚，汤浅功治，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]