氮化物半导体基板的加工方法技术

在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板（２０），其具备多个条纹区域（１２），该多个条纹区域（１２）由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域（１４）的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域（１２）延伸的方向（ＳＴ）为基准，在氮化物半导体基板（２０）的缘的规定位置形成定向平面（ＯＦ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
以往，作为氮化镓基板(GaN基板)已知有各种基板(参照文献1～3)。在文献2中记载有氮化镓晶片，该氮化镓晶片具有作为表示晶体取向的标记的定向平面(orientation flat)(OF)。这种定向平面通过在利用X射线衍射法确认晶体取向之后进行磨削加工而形成。在文献4中记载有对由GaAs、GaP、InP等化合物半导体而非GaN构成的晶片，形成定向平面的方法。另外，在文献5中记载有检测在晶片上形成的定向平面的位置的方法。文献1特开2003-183100号公报文献2特开2004-335645号公报文献3特开2000-12900号公报文献4特开平7-307316号公报文献5特开平2-291146号公报然而，氮化镓基板的定向平面的位置精度并不一定充分，希望进一步提高位置精度。
技术实现思路
本专利技术正是鉴于上述事情而作出的，目的在于提供一种能够高精度地确定表示晶体取向的标记的位置的。为了解决上述的问题，本专利技术的氮化物半导体基板的加工方法包括准备圆盘状的氮化物半导体基板的工序，该圆盘状的氮化物半导体基板具备多个条纹(stripe)区域，该多个条纹区域具有晶体缺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体基板的加工方法，其中，包括：准备圆盘状的氮化物半导体基板的工序，该圆盘状的氮化物半导体基板具备多个条纹区域，该多个条纹区域具有晶体缺陷密度高于周围的低缺陷区域的缺陷集中区域；以所述多个条纹区域中的至少一个延伸 的方向为基准，在所述氮化物半导体基板的缘的规定位置形成切口的工序。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：西浦隆幸，目崎义雄，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]