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一种铟砷／镓砷量子点的分子束外延生长方法，是在镓砷基体上分子束外延沉积两层铟砷，通过调控变化第二层铟砷的沉积温度，控制量子点的发光波长；其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底上生长一层厚的外延层；步骤３：在外延层上沉...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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